[发明专利]PECVD镀膜专用硅片承载器无效
申请号: | 201010140438.1 | 申请日: | 2010-03-29 |
公开(公告)号: | CN101877373A | 公开(公告)日: | 2010-11-03 |
发明(设计)人: | 屈莹;刘志刚;冯鑫 | 申请(专利权)人: | 常州亿晶光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/20 | 分类号: | H01L31/20 |
代理公司: | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人: | 周祥生 |
地址: | 213200 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | pecvd 镀膜 专用 硅片 承载 | ||
【技术领域】
本发明涉及太阳能电池硅片PECVD镀膜用的一种硅片承载器。
【背景技术】
PECVD是太阳能电池片等离子体化学沉积镀膜工艺的简称,在太阳能电池的生产过程中,对硅片镀膜是提高太阳能电池吸收效率的关键技术,根据硅片的光电转换发电原理,光线照射到硅片上会产生反射,硅片的光学损失会使太阳能电池的输出低于理想值,硅片镀膜技术是提高太阳能电池吸收效率的成熟技术,已在太阳能电池工业化生产中得到广泛应用,通过PECVD能在硅片表面形成一层减反射膜。
在PECVD镀膜过程中必须使用硅片承载器,现用的硅片承载器如图1所示,它由承载框架1、单面挂钩2和双面挂钩3组成,承载框架1由纵向杆和横向杆拼合而成,单面挂钩2安装在左右两侧的纵向杆上,双面挂钩3则安装在其它纵向杆上,将待镀膜的硅片5逐块平放在硅片承载器上,靠单面挂钩2和双面挂钩3将硅片5水平托起,对硅片5向下的扩散面进行镀膜。双面挂钩如图2A所示,单面挂钩如图2B所示,它们均为片状结构,所述双面挂钩3由托钩31、钩身32、定位槽33和扎带34组成,托钩31对称地设置在钩身32下端的外侧,定位槽33位于钩身32的上方,且处于两根扎带34之间,双面挂钩3通过定位槽33安装在纵向杆上;单面挂钩2的结构与双面挂钩3相似,只比双面挂钩3少一个托钩。单面挂钩和双面挂钩的安装固定方式都是相同的,都是靠定位槽卡装在纵向杆上,然后用钳子将两根扎带铰接起来,从而使挂钩固定在纵向杆上,在铰接紧固时,两根扎带必然会对纵向杆产生收紧力和磨擦力,由于硅片承载框架由碳素复合纤维材料制成,在挂钩的安装收紧和拆除过程中,扎带对纵向杆的损伤较大,这必然加速硅片承载器的损坏,缩短其使用寿命。目前,硅片承载器一般的使用寿命为二个月,生产消耗较大,由于硅片承载器的价格较高,所以硅片承载器消耗成本在镀膜成本中的比例较高。
在镀膜的过程中,待镀膜的硅片是平放在硅片承载器上,并由四个托钩水平托起,由于挂钩固定的松紧程度会直接影响托钩的顶尖与纵向杆底面之间的距离,从而改变硅片与硅片承载器之间的间隙,这样就增大了等离子体扩散到硅片背面产生沉积的机率,电池背面存有氮化硅层对后道工序铝背场的印刷烧结将产生不良影响。同时,在镀膜过程中,在硅片承载框架和挂钩表面都会沉积氮化硅,根据镀膜工艺要求,在镀膜结束后必须将硅片承载框架上的挂钩拆除,然后用低浓度的HF溶液(5%)浸泡以清除附着其上的氮化硅,否则挂钩就会在浸泡过程中被HF溶液腐蚀掉,这样不仅要消耗HF溶液,而且还需要拆除挂钩,同时也增大了后道对HF溶液环保处理的成本和难度。
【发明内容】
为了克服现有硅片承载器存在的不足,本发明提供了一种PECVD镀膜专用硅片承载器,这种硅片承载器上的挂钩不仅能快速安装和拆除,而且对硅片承载框架不会产生损伤,还能大幅度降低太阳能电池片背面沉积氮化硅层的机率。
本发明所述PECVD镀膜专用硅片承载器,它包括承载框架、单面挂钩和双面挂钩,单面挂钩和双面挂钩均安装在承载框架的挂钩连接杆上,其特征是,它还包括垫板,所述双面挂钩由托钩、钩身、定位槽、扎带、压迫凸台和折弯槽组成,两个托钩对称地位于钩身的底部两侧,定位槽位于钩身的上方,且处于两根扎带之间,压迫凸台设置在扎带的顶端,在两扎带的外侧等高度地设有折弯槽,折弯槽的开设位置要求是:当压迫凸台沿折弯槽向内侧边折弯90°后,内侧边到定位槽底边的距离等于两个垫板厚度与挂钩连接杆厚度之和;所述垫板呈“工”字形,在其垫板的两侧开有扎带槽,扎带槽的宽度与扎带的厚度相当,两扎带槽的槽底之间的距离与两扎带的内侧边之间的距离相当,托钩的顶尖与挂钩连接杆底边的距离小于或等于硅片的厚度;单面挂钩的结构与双面挂钩相同,只比双面挂钩少一只托钩;单面挂钩、双面挂钩与挂钩连接杆的安装方式相同,在挂钩连接杆的上端面和下端面均设置有垫板,两扎带插穿在垫板的两扎带槽中,定位槽套装在挂钩连接杆上,两根扎带上端的压迫凸台通过沿折弯槽向内侧边折弯90°的方式压在垫板的上端面上,如图3所示。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的