[发明专利]基板处理装置有效
申请号: | 201010140503.0 | 申请日: | 2010-03-29 |
公开(公告)号: | CN101853767A | 公开(公告)日: | 2010-10-06 |
发明(设计)人: | 林大辅 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H01J37/04 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
1.一种基板处理装置,包括:用于收纳基板的筒状容器、在该筒状容器内沿上述筒状容器的中心轴线移动自如的移动电极、在上述筒状容器内与上述移动电极相对的对置电极、以及用于将上述筒状容器的一端壁和上述移动电极连接起来的伸缩自如的分隔壁,对位于上述移动电极和上述对置电极之间的第1空间施加高频电力并导入处理气体,上述移动电极与上述筒状容器的侧壁不接触,其特征在于,
在位于上述一方的端壁和上述移动电极之间的第2空间内配置至少一个低介电常数构件。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
上述低介电常数构件安装在上述一端壁和上述移动电极的至少其中一个上。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其特征在于,
上述低介电常数构件的介电常数为10以下。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,
上述低介电常数构件由聚四氟乙烯、四氟乙烯-全氟烷基乙烯醚共聚物或聚氯三氟乙烯构成。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
在上述筒状容器的侧壁和上述移动电极之间配置有其他电介质构件。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置,其特征在于,
上述其他电介质构件的厚度在自上述移动电极沿向上述侧壁的方向上为5mm以上。
7.根据权利要求5或6所述的基板处理装置,其特征在于,
上述其他电介质构件由陶瓷构成。
8.根据权利要求5~7中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
上述其他电介质构件安装在上述移动电极上。
9.根据权利要求5~7中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
上述其他电介质构件安装在上述侧壁上。
10.一种基板处理装置,其包括:用于收纳基板的筒状容器、在该筒状容器内沿上述筒状容器的中心轴线移动自如的移动电极、在上述筒状容器内与上述移动电极相对的对置电极、以及用于将上述筒状容器的一端壁和上述移动电极连接起来的伸缩自如的分隔壁,对位于上述移动电极和上述对置电极之间的第1空间内施加高频电力并导入处理气体,上述移动电极与上述筒状容器的侧壁不接触,其特征在于,在上述筒状容器的与上述移动电极相对的侧壁上配设有第1电介质构件,该第1电介质构件与上述移动电极的侧面之间的重叠面积随着上述移动电极的移动而变化。
11.根据权利要求10所述的所述的基板处理装置,其特征在于,在上述移动电极的与上述第1电介质构件相对的侧面上配设有第2电介质构件,上述第1电介质构件与上述第2电介质构件之间的重叠面积随着上述移动电极的移动而变化。
12.根据权利要求10或11所述的所述的基板处理装置,其特征在于,
上述第1电介质构件的沿上述筒状容器的中心轴线的截面在与上述中心轴线正交的方向上的宽度沿上述中心轴线方向是恒定的。
13.根据权利要求10或11所述的所述的基板处理装置,其特征在于,
上述第1电介质构件的沿上述筒状容器的中心轴线的截面在与上述中心轴线正交的方向上的宽度沿上述中心轴线方向逐渐变化。
14.根据权利要求11所述的所述的基板处理装置,其特征在于,
上述第2电介质构件的沿上述筒状容器的中心轴线的截面在与上述中心轴线正交的方向上的宽度沿上述中心轴线方向是恒定的。
15.根据权利要求11所述的所述的基板处理装置,其特征在于,
上述第2电介质构件的沿上述筒状容器的中心轴线的截面在与上述中心轴线正交的方向上的宽度沿上述中心轴线方向逐渐变化。
16.根据权利要求11所述的所述的基板处理装置,其特征在于,
上述第1电介质构件和上述第2电介质构件分别由石英、陶瓷或绝缘性树脂构成。
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