[发明专利]功率半导体器件的终端及功率半导体器件有效
| 申请号： | 201010140975.6 | 申请日： | 2010-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102208435A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 周振强;江堂华;吴家键;蔡桥斌;杨飒飒 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L23/29 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518118 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 终端 | ||
1.一种功率半导体器件的终端，其特征在于，包括电场限制区、电场集中区和第一钝化层，所述电场限制区位于功率半导体器件的主体半导体区域中，所述电场集中区位于功率半导体器件的主体半导体区域上方，所述第一钝化层位于所述电场集中区的上方；厚度方向上，所述第一钝化层的相对介电常数呈第一三角函数变化。
2.如权利要求1所述的功率半导体器件的终端，其特征在于，所述第一钝化层的材料是绝缘材料或者弱导电材料。
3.如权利要求2所述的功率半导体器件的终端，其特征在于，所述绝缘材料是聚酰亚胺。
4.如权利要求2所述的功率半导体器件的终端，其特征在于，所述弱导电材料是多晶碳化硅或者多晶硅。
5.如权利要求1所述功率半导体器件的终端，其特征在于，所述第一三角函数为A+Bsin(ωy+C)，ω、C为常数，y轴以厚度方向建立，A为主体半导体区域的相对介电常数，其中，所述B的取值范围为1～12。
6.如权利要求5所述功率半导体器件的终端，其特征在于，所述第一钝化层的厚度为5～20微米。
7.如权利要求1所述功率半导体器件的终端，其特征在于，所述电场限制区的材料为弱导电材料，厚度方向上，其相对介电常数呈第二三角函数变化。
8.如权利要求7所述的功率半导体器件的终端，其特征在于，所述第一钝化层上表面的相对介电常数与接触部分的相对介电常数一致、其下表面的相对介电常数与接触的部分电场集中区的相对介电常数一致；所述电场限制区最上面的相对介电常数与接触的部分电场集中区的相对介电常数一致、其最下面的相对介电常数与主体半导体区域内的相对介电常数一致。
9.如权利要求7所述的功率半导体器件的终端，其特征在于，所述第二三角函数为D+Esin(θy+F)，θ、F常数，y轴以厚度方向建立，D为主体半导体区域的相对介电常数，其中，E的取值范围为1～12。
10.一种功率半导体器件，其特征在于，包括如权利要求1至9任一项所述功率半导体器件的终端。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于比亚迪股份有限公司，未经比亚迪股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010140975.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
