[发明专利]固态成像器件和固态成像装置无效
申请号: | 201010141138.5 | 申请日: | 2008-01-30 |
公开(公告)号: | CN101820506A | 公开(公告)日: | 2010-09-01 |
发明(设计)人: | 泷口亮;沼口将吾;田中弘明;广田功 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H04N5/335 | 分类号: | H04N5/335;H01L27/148 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 宋鹤;南霆 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 成像 器件 装置 | ||
1.一种固态成像器件,包括:
成像部分,该成像部分包括以具有行和列的矩阵的形式布置的多个光 接收部分和布置在所述光接收部分的每个纵列中的垂直转移寄存器,所述 垂直转移寄存器用于沿垂直方向转移从所述光接收部分转移来的电荷;
水平转移部分,用于沿水平方向转移从所述垂直转移寄存器转移来的 电荷;
输出部件,用于输出从电荷转换而成的电信号,所述电荷是从所述水 平转移部分转移而来的;
其中,所述成像部分、所述水平转移部分和所述输出部件被形成在具 有第二导电类型半导体区域的第一导电类型半导体基片中,并且地电势作 为预定的基准电势被施加到所述第二导电类型半导体区域;
第一基准电势施加部分,该部分被配置用于向与形成所述输出部件的 区域相对应的第二导电类型半导体区域施加地电势;以及
第二基准电势施加部分,该部分被配置用于向与形成所述成像部分的 区域相对应的第二导电类型半导体区域施加地电势,
其中,所述第一导电类型是n型,所述第二导电类型是P型。
2.一种固态成像装置,包括:
固态成像器件,该固态成像器件包括:
成像部分,该成像部分具有以具有行和列的矩阵的形式布置的多 个光接收部分和布置在所述光接收部分的每个纵列中的垂直转移寄存器, 所述垂直转移寄存器用于沿垂直方向转移从所述光接收部分转移来的电 荷;水平转移部分,用于沿水平方向转移从所述垂直转移寄存器转移来的 电荷;输出部件,用于输出从电荷转换而成的电信号,所述电荷是从所述 水平转移部分转移而来的,其中,所述成像部分、所述水平转移部分和所 述输出部件被形成在具有第二导电类型半导体区域的第一导电类型半导体 基片中,并且地电势作为预定的基准电势被施加到所述第二导电类型半导 体区域;
定时信号发生器电路,用于向所述固态成像器件施加用于驱动所述垂 直转移寄存器的垂直转移时钟和用于驱动所述水平转移部分的水平转移时 钟;
第一基准电势施加部分,该部分被配置用于向与形成所述输出部件的 区域相对应的第二导电类型半导体区域施加地电势;以及
第二基准电势施加部分,该部分被配置用于向与形成所述成像部分的 区域相对应的第二导电类型半导体区域施加地电势,
其中,所述第一导电类型是n型,所述第二导电类型是P型。
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