[发明专利]电介质陶瓷组合物以及使用其的电子部件

说明书

技术领域

本发明涉及具有能够使用Ag/Cu等低熔点导体材料作为内部线路的低温烧结性的电介质陶瓷组合物以及使用其的电子部件。

背景技术

便携电话等的移动体通信中，使用数百MHz～数GHz左右的被称为所谓准微波的高频带。为此，用于移动体通信仪器的谐振器、滤波器、电容器等电子部件中也非常重视高频特性。

对于这样的电子部件，根据目的，有时希望使用频率下期望的介电常数为30～60、介电损耗小的电介质陶瓷组合物。介电损耗的评价使用例如以Q＝1/tanδ与谐振频率f之积Qf值表示的品质因数，介电损耗越小则品质因数Qf值越大。介电损耗是指高频部件的电力损耗，因而要求品质因数Qf值大的电介质陶瓷组合物。

这样，作为介电常数为30～60、介电损耗小的电介质材料，大多提出了以BaO-TiO₂系陶瓷作为主要成分的材料。然而，在所提出的BaO-TiO₂系陶瓷的情况下，由于烧结温度为1000℃以上的高温，因而存在即使在BaO-TiO₂系陶瓷基板上形成Ag/Cu等的电导率优异的内部电极而进行多层层压，同时烧成也困难的问题。因此，在通过同时烧成制作将上述的Ag/Cu等低熔点导体材料用于内部电极的多功能基板时，需要将烧成温度降低到例如900℃左右。

专利文献1中公开了如下技术：通过将BaO-TiO₂系陶瓷作为主要成分，并配合至少包含B₂O₃或B₂O₃作为玻璃成分之一的玻璃作为副成分，在维持高频特性的同时使其低温烧成化。

专利文献1：日本特开平5-325641号公报

发明内容

发明所要解决的问题

然而，使用这种电介质陶瓷组合物的滤波器等电子部件大多通过焊锡搭载到树脂基板上。在这种情况下，作为树脂基板，通常使用FR-4级的覆铜层压板。在FR-4级的树脂基板的情况下，其原材料的线热膨胀系数为13ppm/℃左右。然而，在专利文献1等现有技术中，关于搭载到树脂基板上的电子部件所具有的电介质陶瓷组合物的线性膨胀系数，并没有特别考虑。专利文献1等现有技术中的状况是电介质陶瓷组合物的线性膨胀系数低于例如9ppm/℃，与树脂基板的线热膨胀系数之间存在不同。其结果是，在高温状况下，由于两者的线热膨胀系数的差异，有可能发生树脂基板的拉伸与电介质陶瓷组合物侧的拉伸差异。

本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于，提供一种电介质陶瓷组合物以及使用其的电子部件，所述电介质陶瓷组合物能够维持具有期望的介电常数30～60的BaO-TiO₂系陶瓷的低损耗特性的同时进行低温烧成化，并能够取得与搭载到树脂基板时成为问题的线膨胀的匹配。

用于解决问题的方法

为了解决上述问题、达到本发明的目的，本发明的电介质陶瓷组合物，其特征在于，其包含以组成式BaO·xTiO₂表示的成分作为主要成分，该组成式中TiO₂相对于BaO的摩尔比x在4.6≤x≤8的范围内，相对于前述主要成分，包含硼氧化物和铜氧化物作为副成分，并将这些副成分分别表示为aB₂O₃、bCuO时，表示前述各副成分相对于前述主要成分的重量比率的a和b分别为

0.5(质量％)≤a≤5(质量％)

0.1(质量％)≤b≤3(质量％)。

另外，本发明的电子部件，其特征在于，其包含上述方案所述的电介质陶瓷组合物和内部线路。

发明效果

本发明人等发现：通过相对于主要成分的BaO-TiO₂系陶瓷配合适量的硼氧化物和铜氧化物作为副成分，同时适当控制主要成分中TiO₂相对于BaO的摩尔比x的范围，从而维持电介质陶瓷组合物的电特性的同时改变其线性膨胀系数，使其能够接近需搭载的树脂基板的线性膨胀系数。因此，根据如上所述地将摩尔比x、重量比率a、b的范围在适当范围的本发明，能够提供电介质陶瓷组合物以及使用其的电子部件，所述电介质陶瓷组合物能够维持具有期望的介电常数30～60的BaO-TiO₂系陶瓷的低损耗特性的同时进行低温烧成化，能够取得与搭载到树脂基板时成为问题的线膨胀的匹配。

附图说明

图1是表示作为本实施方式的电子部件的一例子的带通滤波器的结构例的截面简图。

符号说明

2电介质陶瓷组合物

具体实施方式