[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

蚀刻包括单元区域和边缘区域的衬底以形成多个沟槽；

在所述沟槽的表面轮廓上形成第一衬垫氮化物层；

移除在所述单元区域中所述沟槽的内侧壁之一上形成的第一衬垫氮化物层的部分，以形成打开所述单元区域中所述沟槽的内侧壁之一的线形的侧面接触区域；和

在所述沟槽的表面轮廓上形成侧面接触导电层。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：实施侧壁氧化以在所述沟槽的内侧壁和底表面上形成侧壁氧化物层。

3.根据权利要求2所述的方法，其中移除所述第一衬垫氮化物层的部分以形成所述侧面接触区域还包括：

移除所述第一衬垫氮化物层的部分以暴露出在所述侧面接触区域中形成的所述侧壁氧化物层；和

将通过移除所述第一衬垫氮化物层的部分而暴露出的所述侧壁氧化物层的部分移除。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括：

形成在其中形成有所述侧面接触导电层的所述沟槽上填埋的掺杂多晶硅层；和

实施热处理工艺。

5.根据权利要求4所述的方法，其中实施所述热处理工艺包括：将在所述侧面接触区域上填埋的所述侧面接触导电层的部分硅化，以在所述单元区域中的沟槽的内侧壁之一上形成线形的侧面接触。

6.根据权利要求5所述的方法，其中实施所述热处理工艺包括：使包含于所述掺杂多晶硅层中的掺杂剂扩散以在与所述侧面接触相接触的衬底中形成结。

7.根据权利要求5所述的方法，还包括：在实施所述热处理工艺之后，移除所述掺杂多晶硅层；和

形成在所述沟槽的部分上填埋的位线。

8.根据权利要求7所述的方法，其中在所述单元区域中的沟槽上填埋的所述位线与所述侧面接触连接。

9.根据权利要求1所述的方法，其中移除所述第一衬垫氮化物层的部分以形成所述侧面接触区域包括：

在其中形成有所述第一衬垫氮化物层的所述沟槽中形成第一牺牲层至第一高度；

形成覆盖所述边缘区域的掩模图案；

将通过所述第一牺牲层和所述掩模图案暴露出的所述第一衬垫氮化物层的部分移除；

在所述单元区域中所述沟槽的内侧壁之一上从所述第一高度至第二高度形成线形的牺牲图案，所述第二高度高于所述第一高度；

形成第三牺牲层至所述第二高度，所述第三牺牲层填埋在其中形成有所述牺牲图案的所述沟槽上；

在通过所述第三牺牲层暴露出的所述沟槽的内侧壁上形成第二衬垫氮化物层；和

移除所述第三牺牲层以形成所述侧面接触区域。

10.一种制造半导体器件的方法，包括：

蚀刻衬底以形成多个沟槽；

在所述沟槽的底表面和内侧壁上形成第一衬垫层至第一高度；

在其中形成有所述第一衬垫层的所述沟槽的内侧壁之一上形成牺牲衬垫层；

形成第三牺牲层至第二高度，使得所述第三牺牲层填埋在其中形成有所述牺牲衬垫层的所述沟槽上；

将通过所述第三牺牲层暴露出的所述牺牲衬垫层的部分移除以形成牺牲图案；

在通过所述第三牺牲层暴露出的所述沟槽的内侧壁上形成第二衬垫层；和

将所述第三牺牲层移除，以形成打开所述沟槽的内侧壁之一的线形的侧面接触区域。

11.根据权利要求10所述的方法，其中形成所述第一衬垫层包括：

在所述沟槽的表面轮廓上形成第一衬垫；

形成在所述沟槽上填埋的第一牺牲层至所述第一高度；和

将通过所述第一牺牲层暴露出的所述第一衬垫的部分移除。

12.根据权利要求10所述的方法，还包括：

在移除所述第三牺牲层之后，在其中形成有所述侧面接触区域的沟槽的表面轮廓上形成侧面接触导电层，使得所述侧面接触导电层填埋在所述侧面接触区域上；和

将在所述侧面接触区域上填埋的所述侧面接触导电层的部分硅化以形成侧面接触。