[发明专利]一种制备大面积多晶薄膜的方法无效
| 申请号： | 201010141595.4 | 申请日： | 2010-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN101908471A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 张宏勇;邹福松 | 申请（专利权）人： | 江苏华创光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 肖明芳 |
| 地址： | 214213 江苏省宜兴市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 大面积 多晶 薄膜 方法 | ||
1.一种制备大面积多晶薄膜的方法，其特征在于该方法包括如下步骤：
(1)在玻璃基板上淀积一层非晶硅薄膜；
(2)采用光刻工艺，在非晶硅薄膜上曝光出条状窗口；
(3)采用磁控溅射法在窗口内非晶硅薄膜上溅射一层金属；
(4)采用激光器对着窗口进行辐照制备多晶薄膜；
(5)用酸除去残留的金属镍及光刻胶。
2.根据权利要求1所述的一种制备大面积多晶薄膜的方法，其特征在于步骤(1)中，淀积的方法为PECVD法，以SiH4和H2为反应气体，衬底温度为220℃。
3.根据权利要求1所述的一种制备大面积多晶薄膜的方法，其特征在于步骤(3)中，所述的磁控溅射法，射频溅射功率密度为4W/cm2，衬底温度为150℃，Ar气体流量为30mL/min。
4.根据权利要求1所述的一种制备大面积多晶薄膜的方法，其特征在于步骤(3)中，所述的金属层厚度为5～10nm。
5.根据权利要求1或4所述的一种制备大面积多晶薄膜的方法，其特征在于步骤(3)中，所述的金属为镍、金或铝。
6.根据权利要求5所述的一种制备大面积多晶薄膜的方法，其特征在于步骤(3)中，所述的金属为镍。
7.根据权利要求1所述的一种制备大面积多晶薄膜的方法，其特征在于步骤(4)中，所述的激光器，使用的激光介质为ArF、KrF或XeCl；与激光介质相应的激光波长分别为193nm、248nm和308nm，脉宽在10～50ns之间。
8.根据权利要求7所述的一种制备大面积多晶薄膜的方法，其特征在于步骤(4)中，所述的激光器，使用的激光介质为XeCl，激光波长为308nm。
9.根据权利要求1所述的一种制备大面积多晶薄膜的方法，其特征在于步骤(5)中，所述的酸为稀盐酸。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
