[发明专利]电熔丝电路和电子元件无效
申请号: | 201010141743.2 | 申请日: | 2007-08-13 |
公开(公告)号: | CN101807435A | 公开(公告)日: | 2010-08-18 |
发明(设计)人: | 山口秀策 | 申请(专利权)人: | 富士通微电子株式会社 |
主分类号: | G11C17/16 | 分类号: | G11C17/16;G11C17/18;H01L25/065 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 宋鹤;南霆 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电熔丝 电路 电子元件 | ||
1.一种电子元件,包括:
包含电熔丝的半导体存储芯片;
不同于所述半导体存储芯片的半导体芯片;以及
用于封装半导体存储芯片和半导体芯片二者的封装。
2.如权利要求1所述的电子元件,其中所述半导体存储芯片具有
电熔丝电路,
包括多个存储单元的通用存储单元阵列,以及
包括替代通用存储单元阵列中存储单元的存储单元的冗余存储单元阵列,
其中所述电熔丝电路在将被代替的通用存储单元阵列中存储存储单元的地址。
3.如权利要求1所述的电子元件,其中所述电熔丝电路具有
形成电熔丝的电容器;
通过响应一个写入信号施加一个电压到所述电容器端子而击穿所述电容器绝缘膜的写入电路;以及
至少两个晶体管,包括第一晶体管和第二晶体管,在电容器和写入电路之间串联连接。
4.如权利要求1所述的电子元件,其中所述电熔丝电路具有
用于至少两个电熔丝的第一电容器和第二电容器,以及
基于第一和第二电容器的阻抗输出一比特数据的输出电路。
5.如权利要求1所述的电子元件,其中所述半导体芯片具有存储控制器,用于控制对包含在半导体存储芯片中的电熔丝的写入操作。
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