[发明专利]电熔丝电路和电子元件无效

专利信息
申请号: 201010141743.2 申请日: 2007-08-13
公开(公告)号: CN101807435A 公开(公告)日: 2010-08-18
发明(设计)人: 山口秀策 申请(专利权)人: 富士通微电子株式会社
主分类号: G11C17/16 分类号: G11C17/16;G11C17/18;H01L25/065
代理公司: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 代理人: 宋鹤;南霆
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 电熔丝 电路 电子元件
【权利要求书】:

1.一种电子元件,包括:

包含电熔丝的半导体存储芯片;

不同于所述半导体存储芯片的半导体芯片;以及

用于封装半导体存储芯片和半导体芯片二者的封装。

2.如权利要求1所述的电子元件,其中所述半导体存储芯片具有

电熔丝电路,

包括多个存储单元的通用存储单元阵列,以及

包括替代通用存储单元阵列中存储单元的存储单元的冗余存储单元阵列,

其中所述电熔丝电路在将被代替的通用存储单元阵列中存储存储单元的地址。

3.如权利要求1所述的电子元件,其中所述电熔丝电路具有

形成电熔丝的电容器;

通过响应一个写入信号施加一个电压到所述电容器端子而击穿所述电容器绝缘膜的写入电路;以及

至少两个晶体管,包括第一晶体管和第二晶体管,在电容器和写入电路之间串联连接。

4.如权利要求1所述的电子元件,其中所述电熔丝电路具有

用于至少两个电熔丝的第一电容器和第二电容器,以及

基于第一和第二电容器的阻抗输出一比特数据的输出电路。

5.如权利要求1所述的电子元件,其中所述半导体芯片具有存储控制器,用于控制对包含在半导体存储芯片中的电熔丝的写入操作。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士通微电子株式会社,未经富士通微电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010141743.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top