[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

提供具有相互隔离的NMOS区域和PMOS区域的半导体衬底；

在所述NMOS区域上形成第一栅堆叠，以及在所述PMOS区域上形成第二栅堆叠，其中所述第一栅堆叠和第二栅堆叠包括高k栅介质层和金属栅电极；

在所述第一栅堆叠侧壁形成第一侧墙缓冲层，并在所述第一侧墙缓冲层的侧壁形成第一侧墙，以及在所述第二栅堆叠的侧壁形成第二侧墙，其中所述第二侧墙采用低k介质材料形成；

在所述NMOS区域和PMOS区域上分别形成相应的源/漏区后，对所述器件在氧气环境进行退火，以使氧气环境中的氧原子通过所述第二侧墙扩散到所述第二栅堆叠的高k栅介质层中。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一侧墙缓冲层由氮化物或氧化物形成。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一侧墙缓冲层的厚度为2至10纳米。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一侧墙采用低k介质材料形成。

5.根据权利要求1或4所述的方法，其中形成所述第一和第二侧墙的低k介质材料的相对介电常数小于3.5。

6.根据权利要求1或4所述的方法，其中形成所述第一和第二侧墙的低k介质材料包括：SiCOH、SiO或SiCO。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中所述第一和第二侧墙的厚度为2至100纳米。

8.一种半导体器件，所述器件包括：

具有相互隔离的NMOS区域和PMOS区域的半导体衬底；

形成于所述NMOS区域和PMOS区域的源/漏区；

形成于所述NMOS区域的源/漏区之间的第一栅堆叠，以及形成于所述PMOS区域的源/漏区之间的第二栅堆叠，其中所述第一栅堆叠和第二栅堆叠包括高k栅介质层和金属栅电极；以及

形成于所述第一栅堆叠的侧壁的第一侧墙缓冲层，形成于所述第一侧墙缓冲层的侧壁的第一侧墙，形成于所述第二栅堆叠的侧壁的第二侧墙，其中所述第二侧墙采用低k介质材料形成，所述第二侧墙充当氧原子扩散至第二栅堆叠的高k栅介质层中的通道。

9.根据权利要求8所述的器件，其中所述第一侧墙缓冲层由氮化物或氧化物形成。

10.根据权利要求8所述的器件，其中所述第一侧墙缓冲层的厚度为2至10纳米。

11.根据权利要求8所述的器件，其中所述第一侧墙采用低k介质材料形成。

12.根据权利要求8或11所述的器件，其中形成所述第一和第二侧墙的低k介质材料的相对介电常数小于3.5。

13.根据权利要求8或11所述的器件，其中形成所述第一和第二侧墙的低k介质材料包括：SiCOH、SiO或SiCO。

14.根据权利要求8至11中任一项所述的器件，其中所述第一和第二侧墙的厚度为大约2至100纳米。