[发明专利]太阳能电池镀膜机硅片挂接装置无效

专利信息
申请号: 201010142226.7 申请日: 2010-04-01
公开(公告)号: CN102214727A 公开(公告)日: 2011-10-12
发明(设计)人: 焦保贞 申请(专利权)人: 浙江索日光电科技有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L21/687
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 318050 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 太阳能电池 镀膜 硅片 装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及太阳能电池生产技术领域的一种装置,尤其涉及一种在硅片镀膜工序中用于对硅片进行挂接的挂接装置。

背景技术

目前,太阳能电池在制造过程中的硅片镀膜工序是一道精细的工序,该工序处理的好坏直接影响太阳能电池的质量。现有技术是将硅片放置在由石墨制成的栅格状的框体上,框体上具有由若干纵横交错的分隔栏所分隔开的若干空格。空格的形状与硅片的形状相似,且空格的尺寸略大于硅片的尺寸。在空格外周的分隔栏上固定有L形的挂钩,硅片放入空格内的L形挂钩上。然后带有硅片的框体被运送到镀膜机进行镀膜。这种L形的挂钩一般是用铁丝扳制而成的,而且这种挂钩在分隔栏上是单侧设置的,即每个挂钩只能钩接住一片硅片的一部分,这增加了挂钩的设置复杂性,而且也不易保证硅片放置位置的平稳性。在利用L形的挂钩支承硅片并镀膜时,L形挂钩与硅片的接触面积较大,使硅片上留下的支承件的痕迹较大,影响美观。更为重要的是在硅片的背面与挂钩相接触的位置处会产生氮化硅,这使硅片背电场附着力降低,减小了电池片的使用寿命;使用这种结构在装卸硅片过程中,硅片与石墨板经常产生摩擦,摩擦产生较多碎片,增加了硅片生产不合格率。

发明内容

为了解决现有太阳能电池板镀膜机中硅片挂接装置所存在的上述缺陷,本发明需要解决的技术问题是:提供一种硅片挂接装置,其制作方便,在对硅片镀膜过程中对硅片背面的影响小,且有助于保证硅片在框体上位置的一致性。

本发明的上述技术目的主要是通过以下技术方案来达到的:一种太阳能电池镀膜机硅片挂接装置,包括栅格状的框体和设置在框体上的挂钩,挂钩上具有钩部和挂接部,挂接部连接在框体的分隔栏上,钩部伸入到框体上形成的空格内,所述的挂接部呈“H”形,挂接部包括两根平行设置的竖杆和连接两根竖杆的横杆,横杆贴合在分隔栏的底面上;所述钩部呈“U”形,每个竖杆的下端均连接有一个所述的钩部,钩部的外端部呈尖角状,两个钩部对称地设于挂接部的两侧;在竖杆的上端部设有用于卡接在分隔栏上表面上的卡接结构。所述框体是由石墨板制成的,在石墨板的内部具有若干根横向和纵向的分隔栏,这些分隔栏使得石墨板上形成有若干块矩形空格,在每个空格内一般具有四个钩部,这四个钩部一般是位于空格的四个角部,硅片的四个角部分别被这四个钩部的外端承接住。挂钩被固定在分隔栏上后,挂钩上的两个钩部分别伸入到框体上相邻的两个空格内。

本挂接装置中,所述的卡接结构为两根竖杆上端部向着彼此弯曲而形成的。弯曲后的竖杆上端部一般是平贴在分隔栏的上表面上的,而且两个弯曲后的竖杆上端部的尺寸之和要小于分隔栏上表面的宽度。

本挂接装置中,在竖杆外侧面上设有半透槽,半透槽的下侧面到所述横杆上表面之间的距离略小于分隔栏的厚度。在弯曲竖杆的上端部时,由于半透槽的存在,竖杆上端部会从半透槽的位置处发生变形,而且半透槽与横杆之间的尺寸使得横杆的上端部能够压紧在横杆的上表面上,以利挂钩牢固地固定在分隔栏上。

本挂接装置中,所述半透槽的底面为弧形面。

本挂接装置中,所述半透槽的底面为平面,在该底面上设有截断面呈“V”形的变形槽,变形槽沿分隔栏的长度方向延伸。通过对“V”形的变形槽在半透槽底面上的位置设置来使得竖杆上端部在作弯曲变形时可以精确地控制竖杆的变形位置。变形槽沿分隔栏的长度方向延伸,该分隔栏是指固定有特定挂钩的分隔栏。

本挂接装置中,所述两根竖杆上端部的外侧均设有向着外侧突出的凸体。竖杆上端部在作变形时一般是通过夹钳来实现的,设有的凸体可以保证夹钳对竖杆的夹持,而且在竖杆上端部弯曲后,凸体会由水平方向布置变成为竖直方向布置,在夹钳夹住两个凸体时,可有利竖杆的上端部压紧在分隔栏的上表面上。

本挂接装置中,所述两根竖杆下端部分别连接的两个钩部的外端面在同一水平线上。两者在同一水平线上,可以保证所有的硅片在框体上的位置保持一致,便于对所有的硅片进行镀膜。

本挂接装置中,所述钩部的外端部设有球体。这样,可有效减少钩部对硅片表面的划伤,且钩部的外端部与硅片表面呈点接触。

因此,本发明具有如下有益效果:

1、相对于铁丝扳制的挂钩,本发明中的挂钩更便于进行机械化统一制造,使得硅片被设置在本挂接装置上时,同一框体上的所有硅片的位置能够保持一致,这有助于保证硅片品质的一致性。

2、钩部的外端部与硅片背面的接触面积小,减少了硅片背面氮化硅的生成,有利于增强背电场的附着力,使电池片的寿命更能保证,同时,镀膜后的硅片表面更美观。

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