[发明专利]一种电容式微型硅麦克风及其制备方法

权利要求书

1.一种电容式微型硅麦克风，包括基板(1)；其特征是：所述基板(1)的中心区淀积有振膜(5)；基板(1)对应于设置基板(1)的表面还淀积有绝缘材料层(9)；所述绝缘材料层(9)覆盖在基板(1)与振膜(5)的表面，且与振膜(5)间形成空腔；绝缘材料层(9)与振膜(5)相对应的内壁上设置固定连接的背极板(8)，所述背极板(8)与振膜(5)形成电容结构；绝缘材料层(9)与振膜(5)相对应的外壁上设置若干声孔(10)，所述声孔(10)与绝缘材料层(9)、振膜(5)形成的腔体相连通；基板(1)对应于设置振膜(5)的下部设置声腔(11)，所述声腔(11)的深度从基板(1)对应于设置振膜(5)另一端表面延伸到振膜(5)。

2.根据权利要求1所述的电容式微型硅麦克风，其特征是：所述振膜(5)的一端设置振膜电极(7)，所述振膜电极(7)与振膜(5)电性连接；所述背极板(8)上设有背极板电极，所述背极板电极与背极板(8)电性连接。

3.根据权利要求1所述的电容式微型硅麦克风，其特征是：所述基板(1)对应于淀积振膜(5)的表面设有纹膜槽(2)。

4.根据权利要求1所述的电容式微型硅麦克风，其特征是：所述绝缘材料层(9)的材料包括氮化硅或聚酰亚胺。

5.根据权利要求1所述的电容式微型硅麦克风，其特征是：所述振膜(5)上设有刻蚀孔(13)。

6.一种电容式微型硅麦克风的制备方法，其特征是，所述制备方法包括如下步骤：

(a)、提供基板(1)，并在基板(1)的表面上设置纹膜槽(2)；

(b)、在所述基板(1)对应于设置纹膜槽(2)的表面淀积振膜(5)；

(c)、选择性的掩蔽和刻蚀振膜(5)，得到基板(1)中心区的振膜(5)；

(d)、在上述基板(1)对应于设置振膜(5)的表面上淀积牺牲层(6)，所述牺牲层(6)覆盖基板(1)及振膜(5)相对应的表面；

(e)、选择性的掩蔽和刻蚀牺牲层(6)，得到基板(1)中心区的牺牲层(6)，并在振膜(5)的一端形成金属注入孔(14)，所述金属注入孔(14)从牺牲层(6)的表面延伸到振膜(5)；

(f)、在牺牲层(6)的表面及金属注入孔(14)内均淀积金属，在牺牲层(6)的表面上形成背极板(8)，所述背极板(8)位于振膜(5)的上方；所述振膜(5)对应于设置金属注入孔(14)的表面形成振膜电极(7)；

(g)、在基板(1)对应于设置牺牲层(6)的表面上淀积绝缘材料，形成绝缘材料层(9)，所述绝缘材料层(9)包覆基板(1)、牺牲层(6)、背极板(8)及振膜电极(7)的表面；

(h)、选择性的掩蔽和刻蚀绝缘材料层(9)，去除振膜电极(7)上的绝缘材料层(9)，在所述背极板(8)上得到背极板电极与声孔(10)，所述声孔(10)从绝缘材料层(9)的表面延伸到牺牲层(6)；

(i)、选择性的掩蔽和刻蚀基板(1)对应于淀积振膜(5)的另一表面，在基板(1)对应于淀积振膜(5)的另一端形成声腔(11)，所述声腔(11)位于振膜(5)的下方；声腔(11)的深度从基板(1)对应于设置振膜(5)的另一端表面延伸到振膜(5)；

(j)、刻蚀牺牲层(6)，去除绝缘材料层(9)包围的牺牲层(6)。

7.根据权利要求6所述的电容式微型硅麦克风的制备方法，其特征是：所述振膜(5)上形成刻蚀孔(13)。

8.根据权利要求6所述的电容式微型硅麦克风的制备方法，其特征是：所述振膜(5)为导电多晶硅或氧化支撑层(3)、氧化层(4)与导电层形成的复合结构。

9.根据权利要求6所述的电容式微型硅麦克风的制备方法，其特征是：所述步骤(f)中淀积的金属包括金、镉、镍或银。

10.根据权利要求6所述的电容式微型硅麦克风的制备方法，其特征是：所述牺牲层(6)的材料包括磷硅玻璃或铝。