[发明专利]有机发光二极管显示器有效
申请号: | 201010142578.2 | 申请日: | 2010-03-18 |
公开(公告)号: | CN101840930A | 公开(公告)日: | 2010-09-22 |
发明(设计)人: | 田熙喆;郭鲁敏;金恩雅;朴顺龙;李柱华;郑又硕;郑哲宇;丁喜星 | 申请(专利权)人: | 三星移动显示器株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;G09F9/33 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩明星;王青芝 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示器 | ||
1.一种有机发光二极管显示器,包括具有多个子像素的像素,其中,所述多个子像素包括:
第一子像素,包括第一阳极和第一有机发射层;
第二子像素,包括第二阳极和第二有机发射层;
第三子像素,包括第三阳极和第三有机发射层,
其中,所述第一阳极、所述第二阳极和所述第三阳极满足以下条件:
其中,W1、W2和W3分别表示沿着横跨所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素的方向测量的所述第一阳极的宽度、所述第二阳极的宽度和所述第三阳极的宽度,P表示沿着横跨所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素的方向测量的所述像素的宽度。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,所述有机发光二极管显示器还包括:像素限定层,设置在所述第一阳极、所述第二阳极和所述第三阳极的边缘部分上,并具有暴露所述第一阳极的一部分的第一开口、暴露所述第二阳极的一部分的第二开口和暴露所述第三阳极的一部分的第三开口。
3.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器,其中,所述第一阳极、所述第二阳极、所述第三阳极和所述像素限定层满足以下条件:
w1+w2+12μm<W1+W2,
其中,w1和w2分别表示沿着横跨所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素的方向测量的所述第一开口的宽度和所述第二开口的宽度。
4.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示器,其中,所述第一阳极的宽度、所述第二阳极的宽度和所述第三阳极的宽度以所述第三阳极、所述第一阳极和所述第二阳极的顺序逐渐减小。
5.根据权利要求4所述的有机发光二极管显示器,其中,所述第一开口的宽度、所述第二开口的宽度和所述第三开口的宽度以所述第三开口、所述第一开口和所述第二开口的顺序逐渐减小。
6.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示器,其中,所述第一开口的宽度小于所述第一阳极的宽度,所述第二开口的宽度小于所述第二阳极的宽度,所述第三开口的宽度小于所述第三阳极的宽度,所述第一阳极、所述第二阳极和所述第三阳极的与所述像素限定层叠置的边缘部分具有恒定宽度。
7.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示器,其中,所述第一阳极、所述第二阳极和所述第三阳极的与所述像素限定层叠置的每个边缘部分的所述恒定宽度大于3μm。
8.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示器,其中,所述第二阳极包括向外延伸的通孔区域,所述第二有机发射层位于除所述通孔区域外的第二阳极上。
9.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示器,其中,所述第一阳极和所述第三阳极具有多边形区域和位于所述多边形区域中的通孔区域,所述第一有机发射层和所述第三有机发射层均在通孔区域处具有局部凹入的部分。
10.根据权利要求9所述的有机发光二极管显示器,其中,所述第二阳极具有多边形区域和从所述多边形区域延伸出去的向外延伸的通孔,所述第二有机发射层仅形成在第二阳极的多边形区域上。
11.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示器,其中,所述第三阳极的宽度大于所述第一阳极的宽度,所述第一阳极的宽度大于所述第二阳极的宽度。
12.根据权利要求11所述的有机发光二极管显示器,其中,所述第三开口的宽度大于所述第一开口的宽度,所述第一开口的宽度大于所述第二开口的宽度。
13.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,所述有机发光二极管显示器还包括黑色平坦化层,其中,所述第一阳极在所述黑色平坦化层和所述第一有机发射层之间,所述第二阳极在所述黑色平坦化层和所述第二有机发射层之间,所述第三阳极在所述黑色平坦化层和所述第三有机发射层之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的