[发明专利]发光二极管

权利要求书

1.一种发光二极管，包括：

接合基板，包括相对的第一表面与第二表面；

第一电性电极，设于该接合基板的第二表面上；

接合层，设于该接合基板的第一表面上；

外延结构，包括依序堆叠在该接合层上的第一电性半导体层、有源层与第二电性半导体层，该第一电性半导体层与该第二电性半导体层的电性不同，其中该外延结构的外围环状设置有一沟槽，该沟槽自该第二电性半导体层延伸至该第一电性半导体层；以及

第二电性电极，与该第二电性半导体层电性连接；

生长基板，设于该外延结构上，其中该生长基板具有一凹槽，该凹槽暴露出部分的该外延结构与该沟槽。

2.如权利要求1所述的发光二极管，其中该接合基板的材料包括硅、铝、铜、钼、镍或铜钨合金。

3.如权利要求1所述的发光二极管，其中该第一电性电极包括共晶金属或非共晶金属，该共晶金属包括金锡、银锡、银锡铜、金锡铜或金铍，该非共晶金属包括金、铂、铬、钛、镍或铝。

4.如权利要求1所述的发光二极管，还包括第一电性接触层，其中该第一电性接触层介于该接合层与该第一电性半导体层之间。

5.如权利要求4所述的发光二极管，其中该第一电性接触层包括镍和金的叠层结构、镍和银的叠层结构、氧化铟锡层、氧化锌层、氧化锌镓层、氧化锌铝层或氧化铟层。

6.如权利要求4所述的发光二极管，还包括反射层，其中该反射层介于该第一电性接触层与该第一电性半导体层之间。

7.如权利要求1所述的发光二极管，其中该外延结构还包括：

未掺杂半导体层，位于该第二电性半导体层上；以及

缓冲层，位于该生长基板与该未掺杂半导体层之间。

8.如权利要求1所述的发光二极管，其中该第二电性电极位于该第二电性半导体层上，且该凹槽暴露出该第二电性电极。

9.如权利要求8所述的发光二极管，还包括保护层，其中该保护层覆盖在部分的该第二电性电极、该外延结构的暴露部分、以及该沟槽的另一侧面与底面上。

10.如权利要求1所述的发光二极管，还包括接触孔，其中该接触孔自该第一电性电极延伸至该第二电性半导体层，且该接触孔暴露出该第二电性半导体层的一部分。

11.如权利要求10所述的发光二极管，其中该第二电性电极位于该第二电性半导体层的该部分上。

12.如权利要求11所述的发光二极管，还包括：

绝缘层，覆盖在部分的该第二电性电极、以及该接触孔的底面与侧面上；以及

第二电性金属电极层，填满该接触孔。

13.如权利要求12所述的发光二极管，还包括保护层，其中该保护层覆盖在该外延结构的暴露部分、以及该沟槽的另一侧面与底面上。

14.如权利要求13所述的发光二极管，还包括光学结构，其中该光学结构位于该外延结构的该部分上，其中该光学结构为该生长基板的一部分。

15.如权利要求1所述的发光二极管，其中该生长基板包括一侧壁，且该发光二极管还包括反射层，该反射层延伸在该侧壁与该沟槽的侧面上。

16.如权利要求1所述的发光二极管，还包括光谱转换材料层或光散射材料层及封胶层，所述光谱转换材料层或光散射材料层覆盖在该外延结构的暴露部分上，该封胶层填设于该凹槽中。