[发明专利]高速大容量固态电子记录器无效

专利信息
申请号: 201010143077.6 申请日: 2010-04-07
公开(公告)号: CN102214482A 公开(公告)日: 2011-10-12
发明(设计)人: 李和平;张弛;李先楚;董海;张琦 申请(专利权)人: 中国科学院电子学研究所
主分类号: G11C11/4063 分类号: G11C11/4063
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 周国城
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 高速 容量 固态 电子 记录器
【权利要求书】:

1.一种高速大容量固态电子记录器,包括通信控制模块、数据分发模块、存储模块、底板模块和电源模块;其特征在于,存储介质为NandFlash芯片,包括多数个NandFlash芯片,整个记录器的体系结构采用并行扩展和串行扩展相结合的方式,将多数个NandFlash芯片并行扩展提高存储速度,串行扩展提高存储容量;

其中,通信控制模块采用ARM9作为微控制单元,通过RS422/RS485总线与上位机通信,使用自定义的ISA总线与存储模块和数据分发模块通信,实现各种控制功能;

数据分发模块充当外界的数据源和存储模块之间的桥接器作用,它接收外界输入的数据流,然后按照存储模块的要求对数据进行组包处理后传输给存储模块;在存储模块处于编程的时候,将输入数据缓存下来,等到存储模块空闲后,再将这些数据快速传输给存储模块;数据分发模块由四个通道组成,每个通道的缓存大小为256MB,这四个通道在FPGA的控制下根据需要实现任意组合;

存储模块将输入的数据存入到NandFlash芯片中,其中多数个NandFlash芯片采用串行扩展和并行扩展相结合的方式组织起来,由一片FPGA实现对多数个NandFlash芯片的控制,一个记录器由若干个存储模块组成;

底板模块在总线布局上采用级联方式,保证当前存储模块是后面存储模块的主控制器,使便于扩展记录器的存储容量,并且不会因为模块的增加而加重控制总线的负担;

电源模块提供整个记录器所需要的全部电源。

2.如权利要求1所述的高速大容量固态电子记录器,其特征在于,所述多数个NandFlash芯片,为128片,并行扩展总线为128bits。

3.如权利要求1所述的高速大容量固态电子记录器,其特征在于,所述数据分发模块用SDRAM作为缓存,采用FPGA控制SDRAM实现乒乓FIFO的功能,在一片FPGA内部集成了两个SDRAM控制器,极大地节省了成本和功耗,能够很好地满足高速记录器的要求。

4.如权利要求3所述的高速大容量固态电子记录器,其特征在于,所述一片FPGA内部集成了两个SDRAM控制器,是一个协议转换器;SDRAM控制器提供两个接口:应用接口和SDRAM接口;SDRAM接口具有控制SDRAM所需要的全部控制信号,包括地址和数据总线,产生的时序遵循SDRAM的操作时序,实现了与SDRAM的无缝连接;应用接口提供了非常简单的类似于操作SRAM的控制时序,通过该接口,SDRAM控制器获取目的地址和数据内容,然后将它们转换成为SDRAM的控制时序,实现向SDRAM写入或读出数据的目的;

同时,SDRAM控制器在不需要用户介入的情况下实现了对SDRAM的自动刷新,防止数据的丢失。SDRAM控制器对SDRAM进行了协议封装,并且由于其使用硬件描述语言实现,可以在不同类型的FPGA上进行移植和复制,极大地简化了对SDRAM的控制,提高了效率。

5.如权利要求1或2所述的高速大容量固态电子记录器,其特征在于,所述NandFlash芯片遵循SD协议,每个芯片的物理接口由一根命令线和四根数据线组成,在FPGA内部集成了64个自主研发的SD控制器IP核,实现对64片NandFlash芯片的同时操作。

6.如权利要求5所述的高速大容量固态电子记录器,其特征在于,所述FPGA内部集成了64个SD控制器IP核,通过这些IP核,控制程序可以实现对NandFlash芯片内部的存储单元进行读写数据;

SD控制器是一个协议封装器,它实现了SD协议规定的内容,能够完成对SD卡的初始化、读、写和擦除操作;SD控制器提供两个接口:应用接口和SD卡接口,通过应用接口,SD控制器获取需要操作NandFlash的目的地址和数据内容,然后将它们转换成为遵循SD协议的数据流,发送给NandFlash芯片,实现对数据的存取操作;SD控制器使用硬件描述语言编写,在FPGA内部实现。

7.如权利要求1所述的高速大容量固态电子记录器,其特征在于,其记录速度达到GB/s量级,记录容量达到TB量级。

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