[发明专利]同侧输入、输出的微环传感器结构及其封装方法

权利要求书

1.一种同侧输入、输出微环谐振器阵列结构，包括：

多个微环谐振器，该多个微环谐振器制作于SOI片上，形成微环谐振器阵列，每个微环谐振器包括一个输入波导和一个输出波导以及一个微环，该微环位于输入波导和输出波导之间；

一光纤阵列，该光纤阵列并排镶嵌在石英材料内；

其中微环谐振器阵列的输入波导和输出波导分别与光纤阵列中的光纤对准连接，形成同侧输入、输出的微环谐振器阵列结构。

2.根据权利要求1所述的同侧输入、输出的微环谐振器阵列结构，其中所述的微环位于输入波导和输出波导之间，该微环与两侧的输入波导和输出波导的间隙相同，这有利于使更多的光由输入波导耦合进微环，并由微环耦合进输出波导。

3.根据权利要求1所述的同侧输入、输出的微环谐振器阵列结构，其中所述多个微环谐振器的数量为2-8个。

4.根据权利要求1所述的同侧输入、输出的微环谐振器阵列结构，其中所述多个微环谐振器采用条形波导结构。

5.根据权利要求1所述的同侧输入、输出的微环谐振器阵列结构，其中所述的每个输入和输出波导的端面抛光，并镀膜以降低背反射。

6.根据权利要求1所述的同侧输入、输出的微环谐振器阵列结构，其中所述的光纤阵列的端面镀膜以降低背反射。

7.根据权利要求1所述的同侧输入、输出的微环谐振器阵列结构，其中所述的输入波导和输出波导分别与光纤阵列中的光纤对准连接，是采用紫外胶进行粘结的。

8.一种同侧输入、输出的微环传感器的封装方法，包括如下步骤：

步骤1：在SOI片上旋涂光刻胶，通过深紫外曝光或电子束曝光进行波导图形定义；

步骤2：通过干法刻蚀技术在SOI片的顶层硅上刻蚀出多个微环谐振器，形成微环谐振器阵列，每个微环谐振器包括一个输入波导和一个输出波导以及一个微环，该微环位于输入波导和输出波导之间；

步骤3：对微环谐振器阵列进行切片和端面抛光，对输入和输出波导的端面镀膜；

步骤4：取一并排镶嵌在石英材料内的光纤阵列，将该光纤阵列的端面镀膜；

步骤5：将光纤阵列中的光纤与输入和输出波导直接对准，并用紫外胶粘合在一起，完成同侧输入、输出的微环谐振器阵列结构的制备。

9.根据权利要求8所述的同侧输入、输出的微环谐振器阵列的封装方法，其中所述的微环位于输入波导和输出波导之间，该微环与两侧的输入波导和输出波导的间隙相同，这有利于使更多的光由输入波导耦合进微环，并由微环耦合进输出波导。

10.根据权利要求8所述的同侧输入、输出的微环谐振器阵列的封装方法，其中所述多个微环谐振器的数量为2-8个。

11.根据权利要求8所述的同侧输入、输出的微环谐振器阵列的封装方法，其中所述多个微环谐振器采用条形波导结构。

12.根据权利要求8所述的同侧输入、输出的微环谐振器阵列的封装方法，其中所述的每个输入和输出波导的端面抛光，并镀膜以降低背反射。

13.根据权利要求8所述的同侧输入、输出的微环谐振器阵列的封装方法，其中所述的光纤阵列的端面镀膜以降低背反射。

14.根据权利要求8所述的同侧输入、输出的微环谐振器阵列的封装方法，其中所述的输入波导和输出波导分别与光纤阵列中的光纤对准连接，是采用紫外胶进行粘结。