[发明专利]单块的偏振受控角漫射器及有关方法有效

专利信息
申请号: 201010143342.0 申请日: 2005-08-30
公开(公告)号: CN101793989A 公开(公告)日: 2010-08-04
发明(设计)人: 马可·D·伊梅尔;艾伦·D·卡特曼 申请(专利权)人: 德塞拉北美公司
主分类号: G02B5/18 分类号: G02B5/18;G03F7/20
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 林月俊;安翔
地址: 美国北卡*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 偏振 受控 漫射 有关 方法
【说明书】:

分案申请

本申请是200580034731.7号专利申请(国际申请号 PCT/US2005/030780)的分案申请。200580034731.7号专利申请的申请 日为2005年8月30日,发明名称为“单块的偏振受控角漫射器及有 关方法”。

技术领域

本发明涉及一种偏振受控角漫射器(polarization controlled angle diffuser)及制造这种偏振受控角漫射器的方法。本发明尤其涉及一种 单块的偏振受控角漫射器及制造这种偏振受控角漫射器的方法。

背景技术

在各种系统中,例如在光刻系统中,漫射器使用衍射元件来控制 照明的角度。由于微光刻中临界尺寸连续减小,偏振对光刻系统中成 像性能的影响变得越来越来显著。如果不考虑这些影响,就不会实现 使用较高数值孔径(N.A.)透镜系统和/或浸入式光刻所希望的成像改 善。如果能够在控制照明的角分布的同时优化照明的偏振状态,则可 将偏振的负面影响最小化。

发明内容

因此,本发明的一个特征是提供一种偏振受控角漫射器及制造这 种偏振受控角漫射器的方法,其基本克服了结合现有技术如上指出的 一个或多个问题。

本发明的一个特征是提供一种单块的偏振受控角漫射器。如这里 所使用的,“单块的”是指受控角漫射器和偏振控制的元件每个都设 置在连续的表面上。因而,尽管在单个表面上可实现本发明的单块的 偏振受控角漫射器,但并不限于此,受控角漫射器元件和偏振元件可 以在基板的不同表面上,甚至可以在不同基板上。

本发明的另一个特征是提供一种保持其效率的偏振受控角漫射 器。

本发明的再一个特征是提供一种最小化零级光的偏振受控角漫射 器。

本发明的再一个特征是提供一种可容易地与当前漫射器互换的偏 振受控角漫射器。

本发明的再一个特征是提供一种可容易地制造的偏振受控角漫射 器。

通过提供一种单块的偏振受控角漫射器可实现本发明的上述和其 他特征及优点中的至少一个,该单块的偏振受控角漫射器包括:具有 至少两个平行的平坦表面的系统;用于在照明平面上提供角分布的受 控角漫射器图案,该受控角漫射器图案在所述至少两个平行表面之一 上,该受控角漫射器图案包括至少两个受控角漫射器元件,每个受控 漫射器元件都输出不同的角分布;以及在所述至少两个表面之一上的 偏振图案,该偏振图案包括至少两个偏振元件,该至少两个偏振元件 输出相对彼此旋转的偏振,所述至少两个偏振元件的每一个都对应于 所述至少两个受控角漫射器元件的每一个。

该系统可以包括其上形成有偏振图案的基板。所述至少两个偏振 元件的至少一个可以是无特征(featureless)的。所述至少两个偏振元 件的偏振可以相对彼此旋转90°。

偏振图案可以具有次波长结构。偏振图案可以具有变化的蚀刻深 度。蚀刻深度d可以由下述公式确定:

d=λ/2Δn

其中λ是漫射器使用的波长,Δn是对于偏振图案的正交偏振状态 的基板的折射率之间的差。可以选择偏振图案的周期以使Δn最大。

其上形成有偏振图案的基板可以为双折射的。可以根据基板的正 常(ordinary)折射率与异常(extraordinary)折射率之间的差确定蚀刻 深度。偏振图案的周期可以选择为等于所述至少两个受控角漫射器元 件之一的尺寸。

受控角漫射器元件可以是衍射元件。受控角漫射器元件可以在与 偏振元件相同的基板上、在基板的相同侧上或基板的相对侧上。受控 角漫射器图案可以包括x偶极子(dipole)和y偶极子的交替阵列。

通过提供一种制做单块的偏振受控角漫射器的方法可实现本发明 的上述和其他特征及优点中的至少一个,该方法包括:产生受控角漫 射器设计,该受控角漫射器设计具有输出不同角分布的至少两个受控 角漫射器元件;产生具有至少两个偏振元件的偏振图案,所述至少两 个偏振元件输出相对彼此旋转的偏振;将受控角漫射器设计转移到具 有至少两个表面的系统的表面上;以及将偏振图案转移到所述至少两 个表面之一上,所述至少两个偏振元件的每一个都对应于所述至少两 个受控角漫射器元件的每一个。

转移偏振图案可以包括将系统的基板蚀刻到由下述公式确定的蚀 刻深度d:

d=λ/2Δn

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