[发明专利]一种具有大孔洞开放框架结构的金属磷卤化合物及其制备方法无效
| 申请号： | 201010143503.6 | 申请日： | 2010-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN101817512A | 公开（公告）日： | 2010-09-01 |
| 发明（设计）人： | 邹建平;彭强;唐星华;李明俊;邢秋菊 | 申请（专利权）人： | 南昌航空大学 |
| 主分类号： | C01B25/08 | 分类号： | C01B25/08;B82B3/00 |
| 代理公司： | 南昌洪达专利事务所 36111 | 代理人： | 刘凌峰 |
| 地址： | 330000 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 孔洞 开放 框架结构 金属 卤化 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有大孔洞开放框架结构的金属磷卤化合物，其特征是化学 式为[Hg4As2](InBr3.5As0.5)，六方晶系，空间群为P63/mmc，晶胞参数为a＝7.0～ 8.0b＝7.0～8.0c＝12.0～13.0α＝89～91°，β＝89～91°，γ＝119～ 121°，Z＝2。
2.一种权利要求1所述的一种具有大孔洞开放框架结构的金属磷卤化合 物的制备方法，其特征是将Hg、HgBr2、As和In按照2.5∶2∶2.5∶1的摩尔 比例进行混合，然后压片装入密闭的真空玻璃管加热，以40～50℃/h的速率 升温至300-900℃，恒温72-144小时，再以2～6℃/h的速率降温至50℃， 最后关掉电源，取出玻璃管，可得到片状红褐色微晶的目标化合物具有大孔洞 开放框架结构的金属磷卤化合物。
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