[发明专利]蓝宝石图形衬底的制作方法无效
申请号: | 201010143529.0 | 申请日: | 2010-04-09 |
公开(公告)号: | CN101814426A | 公开(公告)日: | 2010-08-25 |
发明(设计)人: | 江风益 | 申请(专利权)人: | 南昌大学 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 江西省专利事务所 36100 | 代理人: | 张文 |
地址: | 330003 *** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 蓝宝石 图形 衬底 制作方法 | ||
1.一种蓝宝石图形衬底的制作方法,其特征在于:
(1)、在蓝宝石的上表面沉积一层低折射率材料、厚度为1埃---999埃的薄膜;
(2)、用光阻在所述的薄膜上制备掩模图形;
(3)、通过刻蚀,将光刻胶掩模的图形转移到所述的薄膜上,得到图形下底的宽度为0.5--3μm、间距0.5--3μm的凸起,凸起厚度为1埃---999埃;
(4)、清洗蓝宝石,去除残留的光阻。
2.根据权利要求1所述的蓝宝石图形衬底的制作方法,其特征在于:所述的薄膜为二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或者二氧化钛等材料中的一种。
3.根据权利要求1所述的蓝宝石图形衬底的制作方法,其特征在于:所述的薄膜折射率小于2.5。
4.根据权利要求1所述的蓝宝石图形衬底的制作方法,其特征在于:所述的图形为近似的半球形、圆锥形或圆台形或多边体形。
5.根据权利要求1所述的蓝宝石图形衬底的制作方法,其特征在于:所述步骤(1)的薄膜制备方法为PECVD、电子束蒸发、溅射或溶胶凝胶中的一种。
6.根据权利要求1所述的蓝宝石图形衬底的制作方法,其特征在于:所述的步骤(2)在薄膜上制备图像的方法为匀胶、光刻、显影、热板烘烤制作刻蚀掩膜。
7.根据权利要求1所述的蓝宝石图形衬底的制作方法,其特征在于:所述的步骤(3)通过干法刻蚀或湿法腐蚀图形。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造