[发明专利]具有半导体薄膜的组合半导体装置

权利要求书

1.一种制造组合半导体装置的方法，所述方法包括如下步骤：

准备具有平的上表面的第一衬底；

准备由使用不同于所述第一衬底的第二衬底的工艺而形成的第一半 导体薄膜；

将所述第一半导体薄膜转移到所述第一衬底的所述上表面上的第一 预先确定的区域上，并将所述第一半导体薄膜结合到所述第一衬底的所述 上表面上；

准备由使用不同于所述第一衬底和所述第二衬底的第三衬底的工艺 而形成的第二半导体薄膜；

将所述第二半导体薄膜转移到所述第一衬底的所述上表面上的第二 预先确定的区域上，并将所述第二半导体薄膜附着到所述第一衬底的所述 上表面上；

其中，所述第一和第二半导体薄膜中的每个具有不大于10微米的厚 度；

所述第一半导体薄膜的主要材料有非晶硅、单晶硅、多晶硅或化合物 半导体，并且所述第一半导体薄膜包括至少一个半导体器件；以及

所述第二半导体薄膜的主要材料有再结晶硅、单晶硅、多晶硅或化合 物半导体，并且所述第二半导体薄膜包括集成电路和第一端子，

所述方法还包括在所述第一半导体薄膜的所述结合和所述第二半导 体薄膜的附着之后的如下步骤：通过光刻法形成单独互连线，所述单独互 连线越过所述第一衬底的所述上表面，从所述第一半导体薄膜延伸到所述 第二半导体薄膜，并电连接所述第一半导体薄膜的所述半导体器件和所述 第二半导体薄膜的所述第一端子。