[发明专利]利用自释釉制备低放射性辐射赤泥陶瓷材料的方法有效

专利信息
申请号: 201010143727.7 申请日: 2010-04-08
公开(公告)号: CN101805208A 公开(公告)日: 2010-08-18
发明(设计)人: 覃烁;吴伯麟;赵艳荣;马从倡 申请(专利权)人: 桂林理工大学
主分类号: C04B41/86 分类号: C04B41/86;C03C8/14
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 541004 广西壮族*** 国省代码: 广西;45
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摘要:
搜索关键词: 利用 制备 放射性 辐射 陶瓷材料 方法
【权利要求书】:

1.一种赤泥陶瓷材料的制备方法,其特征在于具体步骤为:

(1)原料的质量百分比为:赤泥20-70%,红砂岩20-70%,增塑剂2-10%, 钡、硼和铅的化合物中的一种或两种1-25%;

(2)将步骤(1)原料放入球磨装置中球磨混料12-36小时;

(3)将步骤(2)所得料在50℃-120℃温度下烘干3-24小时;

(4)将步骤(3)所得料采用压制成型或可塑成型,制得坯体;

(5)将步骤(4)所得坯体在900℃-1350℃烧结0.5-6小时,冷却到室温 制得成品;

所述赤泥为拜耳法赤泥、烧结法赤泥或联合法赤泥中的一种;

所述增塑剂为粘土或人造增塑剂中的一种或两种;

所述钡的化合物是钡的质量百分含量大于50%的钡的化合物;

所述硼的化合物是硼的质量百分含量大于50%的硼的化合物;

所述铅的化合物是铅的质量百分含量大于50%的铅的化合物。

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