[发明专利]利用自释釉制备低放射性辐射赤泥陶瓷材料的方法有效
申请号: | 201010143727.7 | 申请日: | 2010-04-08 |
公开(公告)号: | CN101805208A | 公开(公告)日: | 2010-08-18 |
发明(设计)人: | 覃烁;吴伯麟;赵艳荣;马从倡 | 申请(专利权)人: | 桂林理工大学 |
主分类号: | C04B41/86 | 分类号: | C04B41/86;C03C8/14 |
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地址: | 541004 广西壮族*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 利用 制备 放射性 辐射 陶瓷材料 方法 | ||
1.一种赤泥陶瓷材料的制备方法,其特征在于具体步骤为:
(1)原料的质量百分比为:赤泥20-70%,红砂岩20-70%,增塑剂2-10%, 钡、硼和铅的化合物中的一种或两种1-25%;
(2)将步骤(1)原料放入球磨装置中球磨混料12-36小时;
(3)将步骤(2)所得料在50℃-120℃温度下烘干3-24小时;
(4)将步骤(3)所得料采用压制成型或可塑成型,制得坯体;
(5)将步骤(4)所得坯体在900℃-1350℃烧结0.5-6小时,冷却到室温 制得成品;
所述赤泥为拜耳法赤泥、烧结法赤泥或联合法赤泥中的一种;
所述增塑剂为粘土或人造增塑剂中的一种或两种;
所述钡的化合物是钡的质量百分含量大于50%的钡的化合物;
所述硼的化合物是硼的质量百分含量大于50%的硼的化合物;
所述铅的化合物是铅的质量百分含量大于50%的铅的化合物。
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