[发明专利]一种基于电镀工艺制备铟焊球阵列方法

权利要求书

1.一种基于电镀工艺制备铟焊球阵列的方法，其特征在于在制作种子层之前先进行一次薄胶光刻，然后制作种子层，在需要沉积铟的地方，涂覆厚正光刻胶，光刻出“模子”，形成薄胶/种子层/厚胶的结构，以电镀的方法在“模子”中沉积所需高度的铟柱，借助于超声将种子层剥离，最后将制作有铟凸点的芯片在温度可控的退火炉中实现铟凸点回流，获得铟焊球阵列。

2.按权利要求1所述的方法，其特征在于具体工艺步骤为：

A在硅片上腐蚀出铝焊盘

(a)在硅片上氧化一层SiO₂氧化层作为绝缘层；

(b)在氧化后的硅片上溅射的铝膜；

(c)涂覆并光刻正胶，用铝腐蚀液腐蚀出铝焊盘；

B钝化层开口

(a)用离子增强型气相沉积法沉积一层SiO₂作为钝化层；

(b)光刻后用反应离子刻蚀或离子束刻蚀方法，在金属铝焊盘上腐蚀出孔；

C制作种子层；

(a)在钝化层开口的硅片上涂覆薄胶并光刻，光刻完毕后对圆片清边；

(b)溅射种子层；

D厚胶光刻

(a)在需要沉积铟的地方涂覆厚度为10μm-40μm的厚正光刻胶，先光刻出“模子”，光刻完成后清边；

E电镀铟凸点

(a)将步骤D制得的芯片放在铟电镀槽中进行电镀，将铟柱电镀至所需高度；

F去除种子层并回流铟凸点

(a)将电镀完成的硅片放在丙酮中去胶，确认光刻胶去除后借助超声将种子层去除；

(b)将制作有铟凸点的硅片在退火炉中进行回流，回流过程中最高温度在170℃-200℃之间。

3.按权利要求2所述的方法，其特征在于：

①步骤A中作为绝缘层的SiO₂氧化层厚度为

②步骤A中涂覆的正胶厚度为1-2μm，型号为S1912。

4.按权利要求2所述的方法，其特征在于步骤B中作为钝化层的SiO₂厚度为

5.按权利要求1或2所述的方法，其特征在于：

①步骤C中涂覆的薄胶厚度为2-3μm；薄胶的型号为S1912；

②步骤C中所述的种子层为Cr/Au、Ti/Ni/An或Ti/Pt/Au，种子层的总厚度为

6.按权利要求5所述的方法，其特征在于Ti/Pt/Au种子层的总厚度为其中Ti层为Pt层为Au层为

7.按权利要求1或2所述的方法，其特征在于：

①涂覆的正光刻胶为AZ 9260，涂覆时的转速为600rpm，涂覆时间为20-40s；

②光刻时光强为18-20mw/cm²，曝光时间为90-120s。

8.按权利要求1或2所述的方法，其特征在于以5mA-15mA/cm²的电流密度沉积铟柱到所需的高度。

9.按权利要求1或2所述的方法，其特征在于在将制作有铟凸点的硅片干燥后先涂覆助焊剂后，将硅片放在温度可控的退火炉中进行回流；所述的助焊剂为美国indium公司的5RMA。