[发明专利]一种超导本征结的制备方法

权利要求书

1.一种本征结制备方法，其特征在于包括以下步骤： 

(1)高温超导单晶生长； 

(2)剥离并重复多次使超薄单晶碎片粘附于基片表面；剥离采用胶带或PE保护蓝膜，超薄单晶碎片边长为20微米； 

(3)超薄单晶保护和选择；超薄单晶的保护是在其上蒸发一层金层，选择用于本征结制备的单晶边长为大于20微米大小的碎片，厚度为30纳米到200纳米； 

(4)本征结的制备； 

a)首先利用普通光刻构造台面；然后用Ar离子束刻蚀方法制备一个一定高度的台面； 

b)再次利用光刻和离子束刻蚀方法构造电极，包括顶电极和底电极。 

2.按权利要求1所述的方法，其特征在于步骤(2)中所述的基片为透明的MgO基片、蓝宝石基片或石英基片。 

3.按权利要求2所述的方法，其特征在于透明基片表面经光学抛光，以利于超导材料的吸附。 

4.按权利要求1所述的方法，其特征在于所述的胶带为scotch胶带。 

5.按权利要求1所述的方法，其特征在于步骤(2)所述的单晶碎片粘附于基片表面与石墨烯的机械剥离相似。 

6.按权利要求1所述的方法，其特征在于所述的高温超导为BSCCO，Tc＞85K。 

7.按权利要求1所述的方法，其特征在于步骤(4)中所述的Ar离子束刻蚀的速率为1-10nm/min。 

8.按权利要求1所述的方法，其特征在于步骤(3)所述的金层厚度为50-150nm，是用热蒸法或电子束蒸发方法实施的。 

9.按权利要求1所述的方法，其特征在于所述的顶电极和底电极利用四引线方式实现本征结的测试。