[发明专利]硅单晶的拉制方法

权利要求书

1.从容纳在坩埚中的熔体拉制硅单晶的方法，其包括：

将晶种浸入熔体；

通过在一拉晶速度下从熔体抬高晶种使单晶在晶种上结晶；

将单晶的直径拓宽至锥形部分中的定点直径，包括控制拉晶速度以在锥形部分中导致单晶生长前沿的曲率倒转。

2.权利要求1的方法，其包括：

将拉晶速度从初始速度降低到低于初始速度至少40％的较低的拉晶速度，然后将拉晶速度从所述较低的拉晶速度升高到最终速度，在此过程中抬高晶种直至达到定点直径。

3.权利要求2的方法，其特征在于所述最终速度小于所述初始速度。

4.权利要求2或权利要求3的方法，其特征在于直到锥形部分的直径已达到定点直径的至少50％才在较低的拉晶速度下抬高晶种。

5.权利要求1到4任意一项的方法，其特征在于使锥形部分具有不小于60°且不大于90°的顶角α。

6.权利要求1到5任意一项的方法，其特征在于从锥形部分到柱形部分的过渡处的外角β不小于5°且不超过25°。

7.通过权利要求1到6任意一项的方法生产的硅单晶。