[发明专利]半导体装置及其驱动方法、CPU、图像处理电路及电子装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

在绝缘表面上形成并包括薄膜晶体管的逻辑电路，该薄膜晶体管 包括：

第二栅电极；

在所述第二栅电极上的半导体薄膜；和

在所述半导体薄膜上的第一栅电极；

检测装置，用于在所述逻辑电路的待机模式和激活模式之间作出 区分；和

阈值控制电路，对所述第二栅电极施加阈值控制信号，以降低待 机模式的漏泄电流至低于激活模式的漏泄电流，

其中，所述检测装置包括：

地址存储器；

地址比较电路，配置成对存储在所述地址存储器中的地址数 据和通过地址总线输入所述地址比较电路的地址数据进行比较；

计数器，配置成对所述地址比较电路的输出进行计数；

复位信号发生电路，配置成向所述计数器输入复位信号；

判断基准值存储器；以及

判断电路，配置成对所述计数器的输出和所述判断基准值存 储器的数据进行比较，

其中，所述阈值控制电路依据所述判断电路工作，

其中，所述第一栅电极被施加以逻辑信号，

其中，所述薄膜晶体管的阈值随所述第二栅电极的电位而改变， 以及

其中，所述半导体装置包括独立地控制多个电路的多个阈值控制 电路。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，所述检测装置检测所述逻辑电路的工作频率，并将检测结 果输出给所述阈值控制电路。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，流过所述薄膜晶体管的源电极和漏电极之间的电流量受所 述阈值控制信号的控制。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，当所述薄膜晶体管处于待机模式时所述阈值控制电路输出 所述阈值控制信号到所述逻辑电路以增加所述薄膜晶体管的阈值。

5.一种中央处理器，包括：

在绝缘表面上形成并包括薄膜晶体管的逻辑电路，该薄膜晶体管 包括：

第二栅电极；

在所述第二栅电极上的半导体薄膜；和

在所述半导体薄膜上的第一栅电极；

检测装置，用于在所述逻辑电路的待机模式和激活模式之间作出 区分；和

阈值控制电路，对所述第二栅电极施加阈值控制信号，以降低待 机模式的漏泄电流至低于激活模式的漏泄电流，

其中，所述检测装置包括：

地址存储器；

地址比较电路，配置成对存储在所述地址存储器中的地址数 据和通过地址总线输入所述地址比较电路的地址数据进行比较；

计数器，配置成对所述地址比较电路的输出进行计数；

复位信号发生电路，配置成向所述计数器输入复位信号；

判断基准值存储器；以及

判断电路，配置成对所述计数器的输出和所述判断基准值存 储器的数据进行比较，

其中，所述阈值控制电路依据所述判断电路工作，

其中，所述第一栅电极被施加以逻辑信号，

其中，所述薄膜晶体管的阈值随所述第二栅电极的电位而改变， 以及

其中，所述中央处理器包括独立地控制多个电路的多个阈值控制 电路。

6.根据权利要求5所述的中央处理器，

其中，所述检测装置检测所述逻辑电路的工作频率，并将检测结 果输出给所述阈值控制电路。

7.根据权利要求5所述的中央处理器，

其中，流过所述薄膜晶体管的源电极和漏电极之间的电流量受所 述阈值控制信号的控制。

8.根据权利要求5所述的中央处理器，

其中，当所述薄膜晶体管处于待机模式时所述阈值控制电路输出 所述阈值控制信号到所述逻辑电路以增加所述薄膜晶体管的阈值。