[发明专利]栅驱动晶闸管以及静电保护电路

权利要求书

1.一种栅驱动晶闸管电路，其特征在于，包括：

晶闸管，包括阳极、阴极以及控制栅；所述控制栅用于调整晶闸管的触发电压；

栅驱动电路，包括RC耦合回路、反相器电路以及反馈PMOS；

所述RC耦合回路耦接于晶闸管的阳极以及阴极；

所述反相器电路的输入端与RC耦合回路的耦合中点连接，输出端与晶闸管的控制栅连接；所述反相器电路包括至少两级串接的反相器单元，各反相器单元的高位端连接至晶闸管的阳极，低位端连接至晶闸管的阴极；

所述反馈PMOS的栅极连接至反相器电路的输出端，漏极连接至反相器电路中最后一级反相器单元的输入端，源极连接至晶闸管的阳极。

2.如权利要求1所述的栅驱动晶闸管电路，其特征在于，所述RC耦合回路中电阻连接晶闸管的阴极，电容连接晶闸管的阳极。

3.如权利要求2所述的栅驱动晶闸管电路，其特征在于，所述反相器电路中包括偶数级的反相器单元。

4.如权利要求1所述的栅驱动晶闸管电路，其特征在于，所述RC耦合回路中电容连接晶闸管的阴极，电阻连接晶闸管的阳极。

5.如权利要求4所述的栅驱动晶闸管电路，其特征在于，所述反相器电路中包括奇数级的反相器单元。

6.如权利要求1所述的栅驱动晶闸管电路，其特征在于，所述各反相器单元的规格相同。

7.如权利要求1所述的栅驱动晶闸管电路，其特征在于，所述反相器单元为CMOS反相器。

8.一种静电保护电路，其特征在于，包括静电发生端、栅驱动晶闸管电路、静电释放端；所述静电发生端通过栅驱动晶闸管电路与静电释放端连接，其中栅驱动晶闸管电路为权利要求1所述栅驱动晶闸管电路。

9.如权利要求8所述的静电保护电路，其特征在于，当所述静电发生端所产生的静电电势高于静电释放端，将所述栅驱动晶闸管电路的阳极连接至静电发生端，阴极连接至静电释放端；当所述静电发生端所产生的静电电势低于静电释放端，将所述栅驱动晶闸管电路的阴极连接至静电发生端，阳极连接至静电释放端。

10.如权利要求8所述的静电保护电路，其特征在于，将所述静电释放端接地。