[发明专利]图像传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种图像传感器，包括：

基板；

布线结构，形成在所述基板的前侧上且包括多个布线层和多个绝缘膜；

第一阱，形成在所述基板内且具有第一导电型；以及

第一金属布线层，直接接触所述基板的后侧且构造为向所述第一阱施加第一阱偏压。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述基板包括：感应区域，包括多个单位像素；外围区域，包括用于控制所述单位像素的电路；以及焊垫区域，其中所述第一金属布线层在所述外围区域中直接接触所述基板的所述后侧。

3.根据权利要求2所述的图像传感器，还包括：

后侧绝缘膜，形成在所述基板的后侧上且包括暴露所述外围区域中所述基板的后侧的至少一部分的沟槽，其中所述第一金属布线层沿所述后侧绝缘膜的顶表面和侧壁以及所述基板的后侧通过所述沟槽暴露的部分共形地形成。

4.根据权利要求2所述的图像传感器，还包括：

后侧绝缘膜，形成在所述基板的后侧上，

其中所述外围区域中的所述基板的后侧通过多个通孔暴露，所述第一金属布线层填充所述通孔。

5.根据权利要求3所述的图像传感器，其中所述第一金属布线层电连接到形成在所述焊垫区域中的所述基板的后侧上的焊垫。

6.根据权利要求5所述的图像传感器，其中所述布线结构还包括辅助焊垫，其中所述焊垫和所述辅助焊垫通过接触彼此电连接，所述接触贯穿所述后侧绝缘膜和所述基板。

7.根据权利要求4所述的图像传感器，其中所述第一金属布线层电连接到形成在所述焊垫区域中所述基板的后侧上的焊垫。

8.根据权利要求7所述的图像传感器，其中所述布线结构还包括辅助焊垫，其中所述焊垫和所述辅助焊垫通过接触彼此电连接，所述接触贯穿所述后侧绝缘膜和所述基板。

9.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括：

第二阱，形成在所述基板内且具有不同于所述第一导电型的第二导电型；以及

第二金属布线层，直接接触所述基板的后侧，所述第二金属布线层与所述第一金属布线层分离且构造为向所述第二阱施加第二阱偏压，所述第二阱偏压不同于所述第一阱偏压。

10.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括：

第三阱，形成在所述基板内且具有不同于所述第一导电型的第二导电型，其中所述布线结构包括第三金属布线层，所述第三金属布线层构造为向所述第三阱施加第三阱偏压，所述第三阱偏压不同于所述第一阱偏压。

11.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述基板是外延层。

12.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括：

支撑基板，接合到所述布线结构上。

13.一种图像传感器，包括：

感应区域、外围区域和焊垫区域，限定在基板内；

光电转换元件，形成在所述感应区域中；

第一阱，形成在所述外围区域中且具有第一导电型；

布线结构，形成在所述基板的前侧上且包括多个布线层和多个绝缘膜；

第一焊垫，在所述焊垫区域中形成在所述基板的后侧上且接收第一阱偏压；以及

第一金属布线层，在所述外围区域中形成在所述基板的后侧上且电连接到所述第一焊垫以将所述第一阱偏压从所述第一焊垫传送到所述第一阱。

14.根据权利要求13所述的图像传感器，其中所述第一焊垫和所述第一金属布线层通过连接部分彼此连接，所述连接部分从所述第一焊垫延伸以直接接触所述第一金属布线层。

15.根据权利要求13所述的图像传感器，还包括：

第二阱，形成在所述外围区域中且具有不同于所述第一导电型的第二导电型；

第二焊垫，在所述焊垫区域中形成在所述基板的后侧上且接收第二阱偏压；以及

第二金属布线层，在所述外围区域中形成在所述基板的后侧上且电连接到所述第二焊垫以将所述第二阱偏压从所述第二焊垫传送到所述第二阱。