[发明专利]抛光状态监视方法、抛光状态监视装置、抛光设备、加工晶片、半导体器件制造方法和半导体器件

权利要求书

1.一种抛光状态监视方法，其特征在于其中在抛光期间监视通过在 抛光底盘和抛光物之间放入抛光剂的状况下在上述的抛光底盘和上述的 抛光物之间施加负载、以及通过使上述的抛光底盘和上述的抛光物相互 相对移动来抛光的上述的抛光物的抛光状态，其中用从光源射出的探测 光照射上述的抛光物、通过第一光学系统在抛光期间获取测量光谱、并 且在抛光期间根据上述的测量光谱监视上述的抛光状态，上述的测量光 谱是由上述的抛光物反射的光的光谱，在上述的抛光物的抛光期间用从 上述的光源射出的光照射特定的反射物体，该特定的反射物体是不同于所 述抛光物的，通过第二光学系统在上述的抛光物的抛光期间陆续地获取参 考光谱，上述参考光谱是抛光状态下由所述反射物体反射的光的光谱， 在上述的抛光物的抛光期间使用最新的参考光谱，根据上述的测量光谱 对上述参考光谱的关系曲线监视上述的抛光状态，其中

在射向上述的反射物体的上述的光的光径和从这样的反射物体反射 的光的光径内放入上述的抛光剂的状况下获取上述的参考光谱。

2.根据权利要求1所述的抛光状态监视方法，该方法其特征在于使 上述的探测光和射向上述反射物体的上述的光经由一个或多个在上述的 抛光底盘内形成的窗口射向上述的抛光物或者上述的反射物体，要不然 使上述的探测光和射向上述反射物体的上述光射向上述的抛光物或者上 述的反射物体中的从上述的抛光底盘露出的部分。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的抛光状态监视方法，该方法 其特征在于在射向上述的反射物体的上述的光的光径和从这样的反射物 体反射的光的光径内放入上述的抛光剂以及在上述的抛光底盘和上述的 反射物体之间施加与在上述的抛光物的抛光期间施加的负载大体上一样 的负载的状况下获取上述的参考光谱。

4.根据权利要求1或权利要求2所述的抛光状态监视方法，该方法 其特征在于在射向上述的反射物体的上述的光的光径和从这样的反射物 体反射的光的光径内放入上述的抛光剂时以及在与用于上述的抛光物的 抛光的抛光条件大体上一样的条件下抛光上述的反射物体时获取上述的 参考光谱。

5.根据权利要求1或权利要求2所述的抛光状态监视方法，该方法 其特征在于上述的反射物体或具有这样的反射物体的组成部分具有与上 述的抛光物大体上一样的形状和尺寸。

6.根据权利要求5所述的抛光状态监视方法，该方法其特征在于上 述的抛光物是加工晶片，事先也把上述的反射物体或者上述的组成部分 保存于在等待阶段期间容纳上述的加工晶片的盒内，并用从上述的盒中 把上述的加工晶片装在规定的抛光位置上的装置把上述的反射物体或者 上述的组成部分装在获取上述的参考光谱时候规定的抛光位置。

7.根据权利要求1或权利要求2所述的抛光状态监视方法，该方法 其特征在于把上述的反射物体安装在抛光期间固定上述的抛光物的固定 部件内。

8.根据权利要求1或权利要求2所述的抛光状态监视方法，该方法 其特征在于上述的抛光物是加工晶片，并且在这样的加工晶片的除器件 区域以外的区域内形成上述的反射物体。

9.一种抛光状态监视装置，特征在于采用权利要求1～8中的任一权 利要求所述的抛光状态监视方法监视上述的抛光物的抛光状态。

10.一种抛光设备，特征在于在装备有抛光底盘和在抛光期间固定抛 光物的固定部件，以及在上述的抛光底盘和上述的抛光物之间放入抛光 剂状况下通过在上述的抛光底盘和上述的抛光物之间施加负载并且通过 使这样的抛光底盘和抛光物相对移动来抛光上述的抛光物的抛光设备 中，用权利要求9所述的抛光状态监视装置装备上述的抛光设备。

11.一种半导体器件制造方法，其特征在于这样的方法具有使用权利 要求10所述的抛光设备使半导体晶片的表面变平的工艺过程。

12.一种半导体器件，其特征在于用权利要求11所述的半导体器件制 造方法制造这样的器件。