[发明专利]一种无机半导体纳米材料及其制备方法

权利要求书

1.一种无机半导体纳米材料的制备方法，包括以下步骤：

步骤1)：将阳离子配位剂和手性稳定剂溶解于同一溶剂，调节PH值至9～12，使其生成手性金属络合物；

步骤2)：加入阴离子配位剂，然后在60～120℃加热使其成核。

2.根据权利要求1所述的无机半导体纳米材料的制备方法，其特征在于，在所述步骤2)中以溶液或气态的方式加入所述阴离子配位剂。

3.根据权利要求1所述的无机半导体纳米材料的制备方法，其特征在于，所述手性稳定剂为具有手性的分子。

4.根据权利要求3所述的无机半导体纳米材料的制备方法，其特征在于，所述手性稳定剂选自半胱氨酸、盘尼西林胺、乙酰半胱氨酸、异丁基半胱氨酸、L-半胱氨酸甲酯、谷胱甘肽或双巯基联萘酚中的一种。

5.根据权利要求1所述的无机半导体纳米材料的制备方法，其特征在于，所述阳离子配位剂为可溶性盐。

6.根据权利要求5所述的无机半导体纳米材料的制备方法，其特征在于，所述阳离子配位剂选自高氯酸镉，氯化镉，硝酸镉，醋酸镉，高氯酸汞，氯化汞，醋酸汞，硝酸汞，高氯酸铅，氯化铅，醋酸铅，硝酸铅，高氯酸银，硝酸银或醋酸银中的一种。

7.根据权利要求1所述的无机半导体纳米材料的制备方法，其特征在于，所述溶剂选自水溶液、二甲基亚砜，乙醇，甲醇，异丙醇或乙腈中的一种。

8.根据权利要求1所述的无机半导体纳米材料的制备方法，其特征在于，所述阴离子配位剂选自碲，碲化氢，碲氢化钠，硒，硒化氢，硒氢化钠，硫或硫化氢中的一种。

9.根据权利要求1所述的无机半导体纳米材料的制备方法，其特征在于，还包括在步骤1)中加入辅助配位剂。

10.根据权利要求1所述的无机半导体纳米材料的制备方法，其特征在于，还包括：

步骤3)：将步骤2)所得溶液离心，然后重新溶于溶剂中，同时加入手性稳定剂，调节PH值至9～12，然后加入二甲基亚砜，静置数天。

11.一种无机半导体纳米材料，其特征在于，采用所述权利要求1至11之一的方法制成。

12.根据权利要求11所述的无机半导体纳米材料，其特征在于，所述无机半导体纳米材料为纳米粒子、一维的纳米线或纳米棒、或二维纳米片。