[发明专利]用来检测发光二极管晶粒外观的检测装置及检测方法无效
申请号: | 201010144516.5 | 申请日: | 2010-04-09 |
公开(公告)号: | CN102213680A | 公开(公告)日: | 2011-10-12 |
发明(设计)人: | 汪秉龙;陈桂标 | 申请(专利权)人: | 久元电子股份有限公司 |
主分类号: | G01N21/88 | 分类号: | G01N21/88 |
代理公司: | 北京市中联创和知识产权代理有限公司 11364 | 代理人: | 王玉双 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用来 检测 发光二极管 晶粒 外观 装置 方法 | ||
1.一种用来检测发光二极管晶粒外观的检测装置,其特征在于,包括:
一检测平台,其具有一能移动的中空平台,其中一具有多个发光二极管晶粒的大晶片放置于该检测平台的中空平台上;
一分光镜,其设置于该检测平台的上方;
一能按该些发光二极管晶粒的类型来调整发光波长的第一光源,其设置于该分光镜的一侧,其中该第一光源所产生的第一光束投向该分光镜,以产生一投向这些发光二极管晶粒的上表面的第二光束,并且该第二光束通过这些发光二极管晶粒的上表面而被反射成一向上投射的第三光束;以及
一影像感测组件,其设置于该分光镜的上方,以接收经过该分光镜的第三光束,进而得到每一个发光二极管晶粒的上表面的影像。
2.如权利要求1所述的用来检测发光二极管晶粒外观的检测装置,其特征在于,每一个发光二极管晶粒的上表面的影像显示出每一个发光二极管晶粒的正极焊垫及负极焊垫。
3.如权利要求1所述的用来检测发光二极管晶粒外观的检测装置,其特征在于,进一步包括:一能按这些发光二极管晶粒的类型来调整发光波长的第二光源,其设置于该检测平台的下方,其中该第二光源所产生的第一光束穿过该中空平台而投向这些发光二极管晶粒的下表面,并且通过该影像感测组件以观察每一个发光二极管晶粒的外型影像。
4.如权利要求3所述的用来检测发光二极管晶粒外观的检测装置,其特征在于,该第一光源的发光波长与该第二光源的发光波长为相同或不相同。
5.如权利要求1所述的用来检测发光二极管晶粒外观的检测装置,其特征在于,进一步包括:一能按这些发光二极管晶粒的类型来调整发光波长的环形光源,其设置于该分光镜与该检测平台之间,其中该环形光源所产生的第一光束以倾斜的方式投向这些发光二极管晶粒的侧边,并且通过该影像感测组件以观察每一个发光二极管晶粒的侧边影像。
6.如权利要求5所述的用来检测发光二极管晶粒外观的检测装置,其特征在于,该第一光源的发光波长与该环形光源的发光波长为相同或不相同。
7.如权利要求5所述的用来检测发光二极管晶粒外观的检测装置,其特征在于,该环形光源包括一组光源,其由多个呈向下倾斜且排列成环状的发光二极管所组成。
8.如权利要求5所述的用来检测发光二极管晶粒外观的检测装置,其特征在于,该环形光源包括两组光源,并且每一组光源由多个呈向下倾斜且排列成环状的发光二极管所组成。
9.如权利要求5所述的用来检测发光二极管晶粒外观的检测装置,其特征在于,进一步包括:一用于包覆该第一光源、该分光镜及该环形光源的、而只露出两个开口的外壳,并且该外壳呈T字型。
10.如权利要求1所述的用来检测发光二极管晶粒外观的检测装置,其特征在于,进一步包括:一超声波顶针及一吸嘴,其中该超声波顶针设置于该检测平台的下方,以通过超声波的震动方式来移除不合格的发光二极管晶粒,并且该吸嘴设置于该检测平台的上方,从而将上述不合格的发光二极管晶粒吸走。
11.一种用来检测发光二极管晶粒外观的检测方法,其特征在于,包括下列步骤:
提供一检测装置,其具有一检测平台、一分光镜、一可按这些发光二极管晶粒的类型来调整发光波长的第一光源及一影像感测组件,其中该检测平台具有一能移动的中空平台,该分光镜设置于该检测平台的上方,该第一光源设置于该分光镜的一侧,该影像感测组件设置于该分光镜的上方;
将一具有多个发光二极管晶粒的大晶片放置于该检测平台的中空平台上;
将该第一光源所产生的第一光束投向该分光镜,以产生一投向这些发光二极管晶粒的上表面的第二光束,并且该第二光束通过这些发光二极管晶粒的上表面而被反射成一向上投射的第三光束;以及
通过该影像感测组件以接收经过该分光镜的第三光束,进而得到每一个发光二极管晶粒的上表面的影像。
12.如权利要求11所述的用来检测发光二极管晶粒外观的检测方法,其特征在于,每一个发光二极管晶粒的上表面的影像显示出每一个发光二极管晶粒的正极焊垫及负极焊垫。
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