[发明专利]一种提高太阳电池效率的方法有效

专利信息
申请号: 201010144769.2 申请日: 2010-04-12
公开(公告)号: CN101814555A 公开(公告)日: 2010-08-25
发明(设计)人: 皮孝东;李庆;杨德仁 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0236
代理公司: 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 代理人: 胡红娟
地址: 310027 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 提高 太阳电池 效率 方法
【权利要求书】:

1.一种提高太阳电池效率的方法,其特征在于,包括:对硅量子点 的表面进行修饰,将表面经过修饰的硅量子点分散在溶剂中,制得硅墨水, 在太阳电池工作区表面印刷硅墨水,溶剂挥发后,太阳电池工作区表面附 着表面经过修饰的硅量子点;

所述的硅量子点是预先被氢钝化的硅量子点,其平均尺寸为1-10纳 米;

所述的对硅量子点的表面进行修饰的方法为:在无氧的环境下,将预 先被氢钝化的硅量子点进行氢化硅烷化反应,制得表面经过修饰的硅量子 点。

2.一种提高太阳电池效率的方法,其特征在于,包括:对硅量子点 的表面进行修饰,将表面经过修饰的硅量子点分散在溶剂中,制得硅墨水, 在太阳电池工作区表面印刷硅墨水,溶剂挥发后,太阳电池工作区表面附 着表面经过修饰的硅量子点;

所述的硅量子点是预先被氢钝化的硅量子点,其平均尺寸为1-10纳 米;

所述的对硅量子点的表面进行修饰的方法为:将预先被氢钝化的硅量 子点氧化使其表面形成氧化膜,再利用硅烷偶联剂进行偶联反应,使氧化 膜的表面连接亲水或亲油的基团,制得表面经过修饰的硅量子点。

3.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述的硅量子点是 被掺入杂质硼、铝、镓、氮、磷或砷,掺入杂质的原子百分比浓度小于1%。

4.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述的硅墨水中硅 量子点的浓度为0.01-200g/L。

5.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述的在太阳电池 工作区表面附着的表面经过修饰的硅量子点形成厚度为1-500纳米的膜。

6.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述的在太阳电池 工作区表面印刷硅墨水时,采用滴涂、旋涂、浸涂、喷墨打印、丝网印刷 或卷轴到卷轴的印刷方法。

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