[发明专利]一种提高太阳电池效率的方法有效
申请号: | 201010144769.2 | 申请日: | 2010-04-12 |
公开(公告)号: | CN101814555A | 公开(公告)日: | 2010-08-25 |
发明(设计)人: | 皮孝东;李庆;杨德仁 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0236 |
代理公司: | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人: | 胡红娟 |
地址: | 310027 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提高 太阳电池 效率 方法 | ||
1.一种提高太阳电池效率的方法,其特征在于,包括:对硅量子点 的表面进行修饰,将表面经过修饰的硅量子点分散在溶剂中,制得硅墨水, 在太阳电池工作区表面印刷硅墨水,溶剂挥发后,太阳电池工作区表面附 着表面经过修饰的硅量子点;
所述的硅量子点是预先被氢钝化的硅量子点,其平均尺寸为1-10纳 米;
所述的对硅量子点的表面进行修饰的方法为:在无氧的环境下,将预 先被氢钝化的硅量子点进行氢化硅烷化反应,制得表面经过修饰的硅量子 点。
2.一种提高太阳电池效率的方法,其特征在于,包括:对硅量子点 的表面进行修饰,将表面经过修饰的硅量子点分散在溶剂中,制得硅墨水, 在太阳电池工作区表面印刷硅墨水,溶剂挥发后,太阳电池工作区表面附 着表面经过修饰的硅量子点;
所述的硅量子点是预先被氢钝化的硅量子点,其平均尺寸为1-10纳 米;
所述的对硅量子点的表面进行修饰的方法为:将预先被氢钝化的硅量 子点氧化使其表面形成氧化膜,再利用硅烷偶联剂进行偶联反应,使氧化 膜的表面连接亲水或亲油的基团,制得表面经过修饰的硅量子点。
3.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述的硅量子点是 被掺入杂质硼、铝、镓、氮、磷或砷,掺入杂质的原子百分比浓度小于1%。
4.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述的硅墨水中硅 量子点的浓度为0.01-200g/L。
5.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述的在太阳电池 工作区表面附着的表面经过修饰的硅量子点形成厚度为1-500纳米的膜。
6.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述的在太阳电池 工作区表面印刷硅墨水时,采用滴涂、旋涂、浸涂、喷墨打印、丝网印刷 或卷轴到卷轴的印刷方法。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的