[发明专利]具有电压调节功能的GPU芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种具有电压调节功能的半导体芯片，所述半导体芯片通过一供电装置进行供电，所述半导体芯片包括：

电压调节模块，所述电压调节模块用于根据所述半导体芯片的最优工作电压调节所述供电装置输出给所述半导体芯片的供电电压。

2.如权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，所述半导体芯片为图形处理单元。

3.如权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，所述供电装置包括：

运算放大器，所述运算放大器的同相输入端连接一参考电压源，反相输入端接收由所述电压调节模块输入的信号；以及

反馈模块，所述反馈模块接收所述运算放大器的输出信号作为输入，并输出一电压信号以便为所述半导体芯片供电。

4.如权利要求3所述的半导体芯片，其特征在于，所述电压调节模块包括第一电压调节模块和第二电压调节模块。

5.如权利要求4所述的半导体芯片，其特征在于，所述第一电压调节模块包括第一组多个彼此并联、串联或混联的电阻，所述第二电压调节模块包括第二组多个彼此并联、串联或混联的电阻，所述每个电阻具有与之串联连接的熔丝。

6.如权利要求5所述的半导体芯片，其特征在于，所述第一组电阻的数目与所述第二组电阻的数目是相等的。

7.如权利要求5所述的半导体芯片，其特征在于，所述第一组电阻的数目与所述第二组电阻的数目是不相等的。

8.如权利要求5所述的半导体芯片，其特征在于，所述电阻的阻值选自1000欧姆、2000欧姆、4000欧姆、8000欧姆或16000欧姆。

9.如权利要求5所述的半导体芯片，其特征在于，当所述半导体芯片的最优工作电压为V_L时，按照如下公式选择所述第一组电阻的等效电阻值R₁和第二组电阻的等效电阻值R₂：

V_ref/V_L＝R₁/(R₁+R₂)

其中V_ref是所述参考电压源的电压。

10.如权利要求9所述的半导体芯片，其特征在于，通过熔断第一组电阻和第二组电阻中的一部分电阻所连接的熔丝，达到所述等效电阻值。

11.一种制作具有电压调节功能的半导体芯片的方法，包括如下步骤：

a：提供半导体芯片，所述半导体芯片通过一供电装置进行供电，所述半导体芯片包括：电压调节模块，所述电压调节模块用于根据所述半导体芯片的最优工作电压调节所述供电装置输出给所述半导体芯片的供电电压；

b：确定所述半导体芯片的最优工作电压；

c：调节所述电压调节模块的输出信号；

d：封装所述半导体芯片。

12.如权利要求11所述的半导体芯片制作方法，其特征在于，所述半导体芯片为图形处理单元。

13.如权利要求11所述的半导体芯片制作方法，其特征在于，所述供电装置包括：

运算放大器，所述运算放大器的同相输入端连接一参考电压源，反相输入端接收由所述电压调节模块输入的信号；以及

反馈模块，所述反馈模块接收所述运算放大器的输出信号作为输入，并输出一电压信号以便为所述半导体芯片供电。

14.如权利要求13所述的半导体芯片制作方法，其特征在于，所述电压调节模块包括第一电压调节模块和第二电压调节模块。

15.如权利要求14所述的半导体芯片制作方法，其特征在于，所述第一电压调节模块包括第一组多个彼此并联、串联或混联的电阻，所述第二电压调节模块包括第二组多个彼此并联、串联或混联的电阻，所述每个电阻具有与之串联连接的熔丝。

16.如权利要求11所述的半导体芯片制作方法，其特征在于，所述确定所述半导体芯片的最优工作电压包括：

为所述半导体芯片施加所能承受的最高电压；

以一步长逐渐降低所施加的电压直到所述半导体芯片工作至不稳定为止；以及

确定最后一个可以稳定工作的电压为所述半导体芯片的最优工作电压。