[发明专利]半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，所述方法包括如下步骤：

在半导体衬底中形成限定第一区和第二区的隔离区；

将第一导电类型的第一杂质注入到所述第一区和所述第二区内；

在所述第一区上方形成第一栅极绝缘膜和第一栅电极；

在所述第二区上方形成第二栅极绝缘膜和第二栅电极；

在所述第二区的第一部分上方形成第一掩模层，以暴露所述第二区的第二部分和所述第一区；以及

通过将所述第一掩模层、所述第一栅电极以及所述第二栅电极用作掩模，将所述第一导电类型的第二杂质从与所述半导体衬底的表面倾斜的方向注入到所述半导体衬底内。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括如下步骤：通过将所述第一掩模层用作掩模，将与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第三杂质注入到所述半导体衬底内。

3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括如下步骤：

在形成所述第二栅电极之前，形成第二掩模层，以暴露所述第二区的所述第一部分；以及

通过将所述第二掩模层用作掩模，将与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第四杂质注入到所述半导体衬底内；

其中将所述第二栅电极形成为与注入有所述第四杂质的区域部分地重叠。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述第二栅电极与注入有所述第四杂质的区域重叠了所述第二栅电极的栅极长度的20％到50％。

5.一种半导体器件的制造方法，所述方法包括如下步骤：

在半导体衬底中形成限定第一区和第二区的隔离区；

将第一导电类型的第一杂质注入到所述第一区和所述第二区内，以形成所述第一区中的第一阱和所述第二区中的第二阱；

将所述第一导电类型的第二杂质注入到所述第一阱和所述第二阱内；

在所述第一区上方形成第一掩模层，以暴露所述第二区的一部分；

通过将所述第一掩模层用作掩模，将与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第三杂质注入到所述半导体衬底内；

去除所述第一掩模层；

在所述第一区中形成第一栅极绝缘膜和第一栅电极；

在所述第二区中形成第二栅极绝缘膜和第二栅电极，使得所述第二栅极绝缘膜和所述第二栅电极与注入有所述第三杂质的区域部分地重叠；

在所述第二区的第一部分上方形成第二掩模层，以暴露所述第二区的第二部分和所述第一区；

通过将所述第二掩模层、所述第一栅电极以及所述第二栅电极用作掩模，将所述第二导电类型的第四杂质注入到所述半导体衬底内；

在所述第一栅电极的两个侧壁上和所述第二栅电极的一个侧壁上形成多个绝缘侧壁间隔件；

形成从所述第二栅电极的另一侧壁延伸到注入有所述第二杂质的区域的绝缘膜；以及

通过将所述第一栅电极、所述第二栅电极、所述多个绝缘侧壁间隔件以及所述绝缘膜用作掩模，将所述第二导电类型的第五杂质注入到所述半导体衬底内。

6.一种半导体器件的制造方法，所述方法包括如下步骤：

在半导体衬底中形成限定第一区和第二区的隔离区；

将第一导电类型的第一杂质注入到所述第一区和所述第二区内，以形成所述第一区中的第一阱和所述第二区中的第二阱；

将所述第一导电类型的第二杂质注入到所述第一阱和所述第二阱内；

在所述第一区上方形成第一掩模层，以暴露所述第二区的一部分；

通过将所述第一掩模层用作掩模，将与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第三杂质注入到所述半导体衬底内；

去除所述第一掩模层；

在所述第一区中形成第一栅极绝缘膜和第一栅电极；

在所述第二区中形成第二栅极绝缘膜和第二栅电极，使得所述第二栅极绝缘膜和所述第二栅电极与注入有所述第三杂质的区域部分地重叠；

在所述第二区的第一部分上方形成第二掩模层，以暴露所述第一区和所述第二区的第二部分；

通过将所述第二掩模层、所述第一栅电极以及所述第二栅电极用作掩模，将所述第二导电类型的第四杂质注入到所述半导体衬底内；

在所述第一栅电极的两个侧壁上和所述第二栅电极的两个侧壁上形成多个绝缘侧壁间隔件；以及

通过将所述第一栅电极、所述第二栅电极以及所述多个绝缘侧壁间隔件用作掩模，将所述第二导电类型的第五杂质注入到所述半导体衬底内。