[发明专利]固态成像装置及其制造方法以及电子设备有效
申请号: | 201010145126.X | 申请日: | 2010-03-24 |
公开(公告)号: | CN101853871A | 公开(公告)日: | 2010-10-06 |
发明(设计)人: | 糸长总一郎 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L27/148;H04N5/335;H04N5/225 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 成像 装置 及其 制造 方法 以及 电子设备 | ||
1.一种固态成像装置,包括:
芯片上滤色器,具有对应于像素形成的滤色器部件;
遮光构件,每个遮光构件形成在相邻的滤色器部件的边界;以及
透镜,凹向光入射方向,每个透镜通过以所述遮光构件作为掩膜的自对准形成在对应的一个所述滤色器部件的正下方。
2.根据权利要求1所述的固态成像装置,还包括:
分别通过自对准形成在对应的一个所述滤色器部件的正上方的凹向光入射方向的透镜。
3.根据权利要求1所述的固态成像装置,
其中在所述滤色器部件正下方的所述透镜由第一绝缘膜和第二绝缘膜形成,所述第一绝缘膜具有被以预定角度倾斜的侧壁围绕的凹陷部分,所述第二绝缘膜掩埋在所述凹陷部分中。
4.根据权利要求2所述的固态成像装置,
其中在所述滤色器部件正上方的所述透镜由第二绝缘膜和框架状第一绝缘膜形成,所述框架状第一绝缘膜形成在所述遮光构件上并且被以预定角度倾斜的侧壁围绕,所述第二绝缘膜掩埋在所述框架状第一绝缘膜中。
5.根据权利要求4所述的固态成像装置,
其中形成在所述遮光构件上的所述框架状第一绝缘膜具有三角形截面,并且
无间隙的芯片上微透镜形成在所述芯片上滤色器上,以在所述三角形截面的顶部终止。
6.根据权利要求1所述的固态成像装置,
其中所述遮光构件被耐光膜覆盖。
7.一种固态成像装置,包括:
芯片上滤色器,具有对应于像素形成的滤色器部件;
遮光构件,每个遮光构件形成在相邻的滤色器部件的边界;以及
透镜,凹向光入射方向,每个透镜相对于基底层通过自对准形成在对应的一个所述滤色器部件的正下方。
8.一种固态成像装置的制造方法,该方法包括如下步骤:
形成遮光构件,每个遮光构件在相邻像素之间的上部;
通过以所述遮光构件作为掩膜的自对准选择性地去除基底层;
通过高密度等离子体沉积方法将第一绝缘膜掩埋在去除部分中,该第一绝缘膜具有被以预定角度倾斜的侧壁围绕的凹陷部分;
通过自对准,将第二绝缘膜掩埋在所述第一绝缘膜的所述凹陷部分中,以形成凹向光入射方向的透镜;以及
在相邻的遮光构件之间形成在各所述透镜正上方的滤色器部件,以形成芯片上滤色器。
9.根据权利要求8所述的固态成像装置的制造方法,还包括:
通过高密度等离子体沉积方法将具有凹陷部分的所述第一绝缘膜掩埋在所述去除部分中的同时,在所述遮光构件上形成被以预定角度倾斜的侧壁围绕的框架状第一绝缘膜;并且
在形成所述滤色器部件后,将第二绝缘膜掩埋在所述框架状第一绝缘膜中,以通过自对准在各所述滤色器部件的正上方形成凹向光入射方向的透镜。
10.根据权利要求9所述的固态成像装置的制造方法,
其中在所述遮光构件上的所述框架状第一绝缘膜具有三角形截面,
所述方法包括这样的步骤:
在各所述滤色器部件正上方形成所述透镜之后,在各所述透镜上形成无间隙的芯片上微透镜,以在所述三角形截面的顶部终止。
11.根据权利要求9所述的固态成像装置的制造方法,还包括:
在所述遮光构件上形成所述框架状第一绝缘膜后,形成耐光膜以覆盖所述遮光构件。
12.一种固态成像装置的制造方法,该方法包括下面的步骤:
选择性地去除与多个像素的光电转换器对应的基底层,以形成凹陷部分;
从选择性去除的去除部分到配线的上部通过高密度等离子体沉积法连续地形成第一绝缘膜,以使所述第一绝缘膜具有被以预定角度倾斜的侧壁围绕的凹陷部分;
将第二绝缘膜掩埋在所述第一绝缘膜的所述凹陷部分中,以通过自对准形成凹向光入射方向的透镜;
在各所述像素的光电转换器之间的表面上选择性地形成遮光构件;以及
在各所述透镜的正上方形成被所述遮光构件围绕的滤色器部件,以形成芯片上滤色器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的