[发明专利]一种探测次声波的方法

权利要求书

1.一种探测次声波的方法，其特征在于，该方法包括：

步骤1：在衬底表面生长氧化介质；

步骤2：在生长的氧化介质上制作底层电极；

步骤3：超声降解一维压电纳米材料；

步骤4：选择合适尺度的纳米线，使其固有频率处于次声波频率范围内，再将一维压电纳米材料精确组装在底层电极上；

步骤5：在底层电极之上制作覆盖一维压电纳米材料的顶层电极；

步骤6：将器件固定在高真空腔体内；

步骤7：将正负电极经过导线引出腔体；

步骤8：在电极上施加电压并监测电流。

2.根据权利要求1所述的探测次声波的方法，其特征在于，所述步骤1包括：采用等离子体增强化学气相沉积技术，在Si衬底正面生长一层SiO₂介质，实现Si衬底与后续制作的电极之间，以及Si衬底与组装的一维压电纳米材料之间的隔离。

3.根据权利要求1所述的探测次声波的方法，其特征在于，所述步骤2包括：采用微电子制作工艺，经光刻、蒸发金属、剥离工艺，在生长的氧化介质上制作规则的电极，作为底层电极。

4.根据权利要求1所述的探测次声波的方法，其特征在于，所述步骤3包括：将生长一维压电纳米材料的基片浸泡于异丙酮溶液中，采用超声降解技术，使一维压电纳米材料从生长基片表面脱落，悬浮于异丙酮溶液，一维压电纳米材料被分散在溶液内，以减少相互缠绕。

5.根据权利要求1所述的探测次声波的方法，其特征在于，所述步骤4包括：将含有一维压电纳米材料的异丙酮溶液滴于Si器件衬底的正面；选择合适尺度的纳米线(直径、长度)，使得其固有频率处于次声波频率范围内；然后利用纳米操控平台及技术，将一维压电纳米材料的两端分别精确组装在两个底层电极上，这两个底层电极分别作为底层正负电极，使得组装在底层正负电极之间的一维压电纳米材料处于悬浮状态。

6.根据权利要求1所述的探测次声波的方法，其特征在于，所述步骤5包括：采用微电子制作工艺，经光刻、蒸发金属、剥离工艺，在底层电极之上制作覆盖一维压电纳米材料的电极作为顶层电极，顶层电极金属、底层电极金属与一维压电纳米材料为欧姆接触。

7.根据权利要求1所述的探测次声波的方法，其特征在于，所述步骤6包括：将器件固定于腔体内，并在腔体内实现高真空，为一维压电纳米材料提供无阻尼振动环境。

8.根据权利要求1所述的探测次声波的方法，其特征在于，所述步骤7包括：利用引线键合技术，在固定于高真空腔体内器件的正负电极处连接导线，并引出腔体。

9.根据权利要求1所述的探测次声波的方法，其特征在于，所述步骤8包括：通过导线，在正负电极上施加电压，并监测电流变化。