[发明专利]一种单侧硅片湿法腐蚀设备

权利要求书

1.一种单侧硅片湿法腐蚀设备，其特征在于，该设备包括供液装置(1)、腐蚀室(2)和余液处理装置(3)，其中，供液装置(1)将高温碱性腐蚀液喷到腐蚀室(2)中真空吸盘上旋转的硅片上，对硅片进行反应速率和表面光洁度可控的各向异性湿法腐蚀，同时硅片与腐蚀室(2)中的真空吸盘紧密贴合，将贴合面与腐蚀环境隔离，实现对单侧硅片的保护。

2.根据权利要求1所述的单侧硅片湿法腐蚀设备，其特征在于，所述供液装置包括KOH溶液暂存腔(101)、去离子水供给装置(102)、控温预热腔(103)、加热盘管(104)、抗腐蚀连接管道和相应的阀门，其中，KOH溶液暂存腔(101)和去离子水供给装置(102)均通过阀门连接于控温预热腔(103)，加热盘管(104)盘绕在控温预热腔(103)外部，以保证控温预热腔(103)内部的腐蚀液维持预设高温，恒流恒速泵(105)将控温预热腔(103)内部的高温腐蚀液泵入腐蚀室(2)内的腐蚀液供液管道。

3.根据权利要求1所述的单侧硅片湿法腐蚀设备，其特征在于，所述腐蚀室(2)包括喷嘴(201)、真空吸盘(202)、转杆(203)、旋转电机(204)、真空泵(205)、腐蚀液收集槽(206)和腐蚀液排液管(207)，其中，所述喷嘴(201)呈T形，喷口为缝状，供液管道中的腐蚀液经喷嘴节流膨胀，以幕状射流喷淋在放置于真空吸盘(202)上的硅片上；所述转杆(203)在旋转电机(204)的作用下，带动真空吸盘(202)以及背面与真空吸盘(202)紧密吸合的硅片旋转，保证腐蚀均匀性；真空吸盘(202)管道的真空度由真空泵(205)维持，保证硅片的背面与腐蚀环境隔离；离开硅片表面的腐蚀液，在腐蚀室(2)底部的腐蚀液收集槽(206)处富集，并可经腐蚀液排液管(207)离开腐蚀室(2)。

4.根据权利要求3所述的单侧硅片湿法腐蚀设备，其特征在于，所述硅片(208)与真空吸盘(202)紧密吸合，保证硅片背面与腐蚀环境的隔离。

5.根据权利要求1所述的单侧硅片湿法腐蚀设备，其特征在于，所述余液处理装置(3)包括一腐蚀液回收槽，用于收集自腐蚀室(2)排出的腐蚀液，并对腐蚀液进行除杂及净化处理。

6.根据权利要求1所述的单侧硅片湿法腐蚀设备，其特征在于，腐蚀完成后，将去离子水通过管道引入腐蚀室(2)，对硅片进行喷淋清洗，清洗完成后，提高转速，将真空吸盘(202)上的硅片旋转甩干。