[发明专利]半导体发光装置及其制作方法、液晶显示装置用背光灯有效

专利信息
申请号: 201010145517.1 申请日: 2010-03-23
公开(公告)号: CN101846251A 公开(公告)日: 2010-09-29
发明(设计)人: 小田原正树 申请(专利权)人: 斯坦雷电气株式会社
主分类号: F21S2/00 分类号: F21S2/00;F21V19/00;F21V13/00;F21V31/00;H01L33/48;H01L33/52
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 黄纶伟;吕俊刚
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 发光 装置 及其 制作方法 液晶 显示装置 背光
【说明书】:

技术领域

本发明涉及半导体发光装置,尤其是涉及主要在与装置安装面大致平行的方向上放射光的所谓侧光(side view)型的半导体发光装置。

背景技术

在液晶显示装置中使用的背光灯中,具有边缘发光方式和直下型方式。一般而言,在搭载于便携电话终端或笔记本型个人计算机等中的薄型的液晶显示装置中,采用边缘发光方式。在边缘发光方式中,从具有光透射性的导光板的侧面使来自光源的光入射,利用设置在导光板的表面上的反射点等改变光的前进方向,从而使导光板整个面均匀发光,通过这样的面发光来构成液晶显示装置的背光灯。

作为在边缘发光方式中使用的光源,除了冷阴极管(CCFL)以外,在便携电话等小型液晶显示装置的情况下,使用了发光二极管(LED)。对于在边缘发光方式中使用的LED,使用了在与LED封装的安装面大致垂直的方向上具有光放射面的所谓的侧光型的LED。

图1示出以往的侧光型的半导体发光装置的结构例。以往的侧光型的半导体发光装置具有:第1基板100,其表面上具有电极;LED芯片110,其搭载在第1基板100上;间隔物120,其设置在第1基板100上;第2基板130,其设置成夹着间隔物120与第1基板100对置;以及光透射性树脂140,其填充在由第1基板100、第2基板130和间隔物120包围的空间内,并设置成埋设LED芯片110。

专利文献1】日本特开2007-59612号

在上述的现有结构的半导体发光装置中,存在从光放射面300放射的光的指向特性倾斜的问题。图2是上述现有的侧光型LED的指向特性图,示出了在将轴上发光强度设为100%时,从相对光源倾斜角度θ的方向观察到的发光强度的比例。如该图所示,来自光源的光的传播相对水平方向不对称,而具有以下倾向:LED芯片110的搭载面的下方(装置安装面侧)的发光强度变低,芯片搭载面的上方的发光强度变得更高。这是因为,如图1所示,从LED芯片110朝向装置安装面200侧放射的光在第1基板100的表面上被反射。在这样的光的指向特性中,光向导光板入射的效率下降,从而成为在导光板的面内产生亮度不匀的原因。

发明内容

本发明正是鉴于上述方面而完成的,其目的在于提供一种相对于光轴具有对象的指向特性的所谓侧光型的半导体发光装置及其制作方法。

本发明的半导体发光装置是主要在与装置安装面大致平行的方向上放射光的半导体发光装置,其特征在于包括:底基板,其在与所述装置安装面平行的主面上搭载半导体发光元件,在所述半导体发光元件的投光方向前方且在从所述半导体发光元件放射的光与所述主面交叉的位置具有切口部;以及具有光透射性的第1密封树脂,其以埋设所述半导体发光元件并且填充所述切口部的方式设置在所述底基板上,其中,从所述半导体发光元件放射的光经由所述切口部而放射。

此外,本发明的半导体发光装置是在与装置安装面大致平行的方向上放射光的半导体发光装置,其特征在于包括:底基板,其在表面上安装半导体发光元件,并且将背面作为所述装置安装面;第1密封树脂,其密封所述半导体发光元件;间隔部件,其部分地围住所述第1密封树脂的周围的一部分;第2密封树脂,其覆盖所述半导体发光元件、所述第1密封树脂和所述间隔部件的上方;以及光放射面,其由所述底基板、所述间隔部件和所述第2密封树脂划定,朝向与所述装置安装面大致垂直的方向,其中,在所述底基板的划定所述光放射面的边缘的一部分上设置切口。

此外,本发明的半导体发光装置的制造方法的特征在于包括以下工序:准备下垫板和设置有切口部的底基板的工序;在所述下垫板上安装半导体发光元件的工序,其中该底基板与所述下垫板邻接;在所述底基板上,且在所述半导体发光元件的周边固定间隔件的工序;在所述半导体发光元件的周边填充光透射性树脂的工序;在所述间隔件上固定框架部件的工序;以及在通过所述框架部件、所述光透射性树脂和所述间隔件包围的部位填充密封树脂的工序。

根据本发明的半导体发光装置,能够适用于构成液晶显示装置的背光灯的导光板等,能够得到合适的、在以光轴为中心的角度θ方向上对称的指向特性。

附图说明

图1是示出以往的侧光型的半导体发光装置的结构的剖视图。

图2是示出以往的侧光型的半导体发光装置的指向特性的图。

图3是本发明实施例的半导体发光装置的俯视图。

图4是沿着图3中的4-4线的剖视图。

图5是沿着图3中的5-5线的剖视图。

图6是本发明另一实施例的半导体发光装置的剖视图。

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