[发明专利]一种高反射及高导热式电气组件及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201010145608.5 申请日: 2010-03-29
公开(公告)号: CN102208392A 公开(公告)日: 2011-10-05
发明(设计)人: 段维新 申请(专利权)人: 段维新
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L23/34;H01L21/48;H01L33/62;H01L33/64
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 任默闻
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 一种 反射 导热 电气 组件 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种高反射及高导热式电气组件,其特征在于,所述的组件包含:

一下金属层,其具有一下反射面;

一透光陶瓷层,其具有一上表面及一下表面,所述透光陶瓷层的所述下表面键结接合至所述下金属层的所述下反射面上;及

一图案化的上金属层,设置于所述透光陶瓷层的所述上表面上,其中所述下反射面使穿过所述透光陶瓷层的一第一光线反射穿过所述透光陶瓷层。

2.如权利要求1所述的高反射及高导热式电气组件,其特征在于,所述的上金属层键结接合至所述透光陶瓷层的所述上表面。

3.如权利要求2所述的高反射及高导热式电气组件,其特征在于,所述的下金属层及所述上金属层是由铜所构成,且所述下金属层与所述透光陶瓷层之间所键结接合的一第一界面相同于所述透光陶瓷层与所述上金属层之间所键结接合的一第二界面。

4.如权利要求1所述的高反射及高导热式电气组件,其特征在于,所述的上金属层具有一上反射面,所述上反射面面对所述下反射面,其中所述下反射面使穿过所述透光陶瓷层的一第二光线反射至所述上反射面,且所述上反射面使所述第二光线反射至所述下反射面,最后使所述第二光线被反射穿过所述透光陶瓷层。

5.如权利要求1所述的高反射及高导热式电气组件,其特征在于,所述组件还包含:

一电子元件,安装于所述透光陶瓷层的所述上表面或所述上金属层上,并发出所述第一光线;以及

多条导线,电连接至所述电子元件及所述上金属层。

6.如权利要求5所述的高反射及高导热式电气组件,其特征在于,所述组件还包含:

一封胶层,包覆所述透光陶瓷层、所述上金属层、所述电子元件及所述的多条导线,其中所述电子元件更发出一第三光线,所述第三光线由所述封胶层的一边界面反射回所述透光陶瓷层,穿过所述透光陶瓷层,并由所述下金属层反射穿过所述透光陶瓷层及所述封胶层后,从所述封胶层射出。

7.如权利要求5所述的高反射及高导热式电气组件,其特征在于,所述组件还包含:

一封胶层,包覆所述透光陶瓷层、所述上金属层、所述电子元件及所述的多条导线,其中所述封胶层包含多个萤光颗粒。

8.如权利要求5所述的高反射及高导热式电气组件,其特征在于,所述电子元件更发出一第四光线,所述各个萤光颗粒接收所述第四光线后产生一第五光线,所述第五光线穿过所述透光陶瓷层,并由所述上金属层反射穿过所述透光陶瓷层及所述封胶层后,最后从所述封胶层射出。

9.一种高反射及高导热式电气组件的制造方法,其特征在于,所述的方法包含以下步骤:

研磨并氧化一下金属层,以使所述下金属层具有一下反射面;

提供一图案化的上金属层;

将一透光陶瓷层夹置于所述上金属层及所述下金属层之间以形成一组合体;以及

将所述组合体置放于一高温环境中,以使所述透光陶瓷层键结接合至所述下金属层及所述上金属层。

10.如权利要求9所述的制造方法,其特征在于,还包含以下步骤:

将一电子元件安装于所述透光陶瓷层上;以及

提供多条导线以将所述电子元件电连接至所述上金属层。

11.如权利要求10所述的制造方法,其特征在于,还包含以下步骤:

以一封胶层包覆所述透光陶瓷层、所述上金属层、所述电子元件及所述的多条导线。

12.如权利要求9所述的制造方法,其特征在于,其中提供所述上金属层的步骤包含:

研磨并氧化所述上金属层以形成一上反射面,所述上反射面面对所述下反射面。

13.一种高反射及高导热式电气组件的制造方法,其特征在于,所述的方法包含以下步骤:

研磨并氧化一下金属层,以使所述下金属层具有一下反射面;

将一透光陶瓷层的一下表面夹置于所述下金属层的所述下反射面以形成一组合体;

将所述组合体置放于一高温环境中,以使所述透光陶瓷层键结接合至所述下金属层;以及

在所述透光陶瓷层的一上表面上形成一图案化的上金属层。

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