[发明专利]有机或无机电致发光器件、器件阳极及制备方法

权利要求书

1.一种有机或无机电致发光器件的阳极，其特征在于：所述阳极为多晶硅和金属硅化物的复合材料，该复合材料厚度为5nm-100nm。

2.如权利要求1所述的阳极，其特征在于：所述复合材料含有金属元素。

3.一种有机或无机电致发光器件，包括阳极、发光层和阴极，其特征在于：所述阳极为多晶硅和金属硅化物的复合材料，所述复合材料的厚度为5nm-100nm。

4.如权利要求3所述的器件，其特征在于：所述复合材料含有金属元素。

5.如权利要求3或4所述的器件，其特征在于：所述器件的发光层为高分子化合物、金属配合物、小分子有机荧光化合物或磷光化合物的一种；阴极采用铝、钙、镁或其它低功函数金属，或这些低功函数金属与银、其它贵金属的合金。

6.一种制备如权利要求1所述阳极材料的方法，其步骤如下：

1)在透明衬底上依次沉积金属和P型非晶硅各一层或多层；或把金属和P型非晶硅混合沉积为一层，所述金属对P型非晶硅的晶化有诱导作用；

2)在400℃-800℃氮气保护条件下，进行退火诱导晶化处理5-300分钟，形成P型多晶硅和金属硅化物复合材料。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于：步骤1)中所述沉积的金属层总厚度为1nm-10nm，P型非晶硅层总厚度为5nm-50nm。

8.如权利要求6或7所述的方法，其特征在于：步骤1)中所述金属与P型非晶硅的体积比从1∶100至75∶100。

9.如权利要求6所述的方法，其特征在于：所述金属包括但不限于Fe、Au、Ni、Al、Ti、Pt中的任意一种。

10.如权利要求6所述的方法，其特征在于：步骤1)中所述沉积采用物理气相沉积包括但不限于电子束蒸发、磁控溅射、激光束蒸发中的任意一种；或采用化学气相沉积包括但不限于化学气相沉积、等离子增强化学气相沉积中的任意一种。