[发明专利]一种CP构架的磁性随机存储器及其信息读取方法无效
申请号: | 201010146346.4 | 申请日: | 2010-04-14 |
公开(公告)号: | CN101847433A | 公开(公告)日: | 2010-09-29 |
发明(设计)人: | 唐晓莉;张怀武;荆玉兰;苏桦;钟智勇 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | G11C7/06 | 分类号: | G11C7/06;G11C11/16 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 葛启函 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 cp 构架 磁性 随机 存储器 及其 信息 读取 方法 | ||
1.一种CP构架的磁性随机存储器,包括两个相同的CP构架的磁性随机存储器阵列和一个比较器;所述CP构架的磁性随机存储器阵列由M行字线、N列位线和连接于字线和位线之间的M×N个磁性隧道结信息存储单元构成,每行字线分别通过一个编译码开关接地;
其特征在于,
其中一个CP构架的磁性随机存储器阵列为主磁性随机存储器阵列A1,用于信息的读写;另一个CP构架的磁性随机存储器阵列为参考磁性随机存储器阵列A2;参考磁性随机存储器阵列A2的所有磁性隧道结信息存储单元所存储的信息为已知;主磁性随机存储器阵列A1的每列位线分别通过一个编译码开关接所述比较器的一个输入端;参考磁性随机存储器阵列A2的每列位线分别通过一个编译码开关接所述比较器的另一个输入端。
2.根据权利要求1所述的CP构架的磁性随机存储器,其特征在于,所述CP构架的参考磁性随机存储器阵列的M×N个磁性隧道结信息存储单元所存储的信息均为“1”。
3.根据权利要求1所述的CP构架的磁性随机存储器,其特征在于,所述CP构架的参考磁性随机存储器阵列的M×N个磁性隧道结信息存储单元所存储的信息均为“0”。
4.根据权利要求1所述的CP构架的磁性随机存储器的信息读取方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1:将检测电流I输入到CP构架的主磁性随机存储器阵列A1中需要读取信息的第m行、第n列磁性隧道结信息存储单元a,同时将另一个与检测电流I相同大小的检测电流I’输入到CP构架的参考磁性随机存储器阵列A2中第m行、第n列磁性隧道结信息存储单元a’;
步骤2:若比较器的输出信号的幅度|V2-V1|为高电平V高时,则主磁性随机存储器阵列A1中需要读取信息的第m行、第n列磁性隧道结信息存储单元a所存储的信息与参考磁性随机存储器阵列A2中第m行、第n列磁性隧道结信息存储单元a’所存储的信息相反;若比较器的输出信号的幅度|V2-V1|为低电平V低时,则主磁性随机存储器阵列A1中需要读取信息的第m行、第n列磁性隧道结信息存储单元a所存储的信息与参考磁性随机存储器阵列A2中第m行、第n列磁性隧道结信息存储单元a’所存储的信息相同。
5.根据权利要求2所述的CP构架的磁性随机存储器的信息读取方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1:将检测电流I输入到CP构架的主磁性随机存储器阵列A1中需要读取信息的第m行、第n列磁性隧道结信息存储单元a,同时将另一个与检测电流I相同大小的检测电流I’输入到CP构架的参考磁性随机存储器阵列A2中第m行、第n列磁性隧道结信息存储单元a’;
步骤2:若比较器的输出信号的幅度|V2-V1|为高电平V高时,则主磁性随机存储器阵列A1中需要读取信息的第m行、第n列磁性隧道结信息存储单元a所存储的信息为“0”;若比较器的输出信号的幅度|V2-V1|为低电平V低时,则主磁性随机存储器阵列A1中需要读取信息的第m行、第n列磁性隧道结信息存储单元a所存储的信息为“1”。
6.根据权利要求3所述的CP构架的磁性随机存储器的信息读取方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1:将检测电流I输入到CP构架的主磁性随机存储器阵列A1中需要读取信息的第m行、第n列磁性隧道结信息存储单元a,同时将另一个与检测电流I相同大小的检测电流I’输入到CP构架的参考磁性随机存储器阵列A2中第m行、第n列磁性隧道结信息存储单元a’;
步骤2:若比较器的输出信号的幅度|V2-V1|为高电平V高时,则主磁性随机存储器阵列A1中需要读取信息的第m行、第n列磁性隧道结信息存储单元a所存储的信息为“1”;若比较器的输出信号的幅度|V2-V1|为低电平V低时,则主磁性随机存储器阵列A1中需要读取信息的第m行、第n列磁性隧道结信息存储单元a所存储的信息为“0”。
7.根据权利要求4至6中任一CP构架的磁性随机存储器的信息读取方法,其特征在于,所述低电平V低由如下方式确定:首先使主磁性随机存储器阵列A1的所有存储单元和参考磁性随机存储器阵列A2的所有存储单元都存储相同的信息;然后在步骤1的基础上测试所有存储单元下比较器的输出电压值;再求出输出电压值的统计平均值最后确定低电平V低确定为
所述高电平V高由如下方式确定:首先使主磁性随机存储器阵列A1的所有存储单元和参考磁性随机存储器阵列A2的所有存储单元都存储相反的信息;然后在步骤1的基础上测试所有存储单元下比较器的输出电压值;再求出输出电压值的统计平均值最后确定高电平V高确定为
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