[发明专利]一种纳米线异质结阵列基紫外光探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种纳米线异质结阵列基紫外光探测器，包括玻璃基底(1)、导电薄膜(2)，所述的导电薄膜(2)位于玻璃基底(1)上；其特征在于：所述的玻璃基底(1)是石英玻璃基底(1)，所述的导电薄膜(2)上有作为紫外光吸收层的NiO-TiO₂纳米线异质结阵列(3)和至少一个N型欧姆电极(5)，所述的NiO-TiO₂纳米线异质结阵列(3)上有至少一个P型欧姆电极(4)。

2.根据权利要求1所述的一种纳米线异质结阵列基紫外光探测器，其特征在于：所述的导电薄膜(2)为ITO导电薄膜(2)或FTO导电薄膜(2)。

3.根据权利要求1所述的一种纳米线异质结阵列基紫外光探测器，其特征在于：所述的NiO-TiO₂纳米线异质结阵列(3)为TiO₂纳米线阵列(31)和NiO纳米线阵列(32)通过线-线对接构成，所述的TiO₂纳米线阵列(31)由生长方向垂直于导电薄膜(2)的TiO₂纳米线(311)平行排列构成，且每一根TiO₂纳米线(311)上端均生长有一根NiO纳米线(321)；所述的NiO纳米线阵列(32)由生长在TiO₂纳米线(311)上端、生长方向与TiO₂纳米线(311)方向一致的NiO纳米线(321)平行排列构成；所述的NiO纳米线阵列(32)中的每一根NiO纳米线(321)均与TiO₂纳米线阵列(31)中与之位置相同的一根TiO₂纳米线(311)相连，构成NiO-TiO₂纳米线异质结。

4.根据权利要求1所述的一种纳米线异质结阵列基紫外光探测器，其特征在于：所述的P型欧姆电极(4)和N型欧姆电极(5)为点状结构或环形结构或曲线结构。

5.一种纳米线异质结阵列基紫外光探测器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

A、对玻璃基底(1)进行清洁处理；

B、在清洁处理后的玻璃基底(1)上制备导电薄膜(2)，获得导电玻璃基底(1)，并对导电玻璃基底(1)进行预处理；

C、在导电薄膜(2)上制备NiO-TiO₂纳米线异质结阵列(3)，所述的NiO-TiO₂纳米线异质结阵列(3)的面积小于导电薄膜(2)的面积；

D、在NiO-TiO₂纳米线异质结阵列(3)上制备P型欧姆电极(4)；

E、在导电薄膜(2)上制作N型欧姆电极(5)。

6.根据权利要求5所述的一种纳米线异质结阵列基紫外光探测器的制备方法，其特征在于：所述的导电玻璃基底(1)预处理包括以下步骤：

B1、用锡箔做掩膜，将经过预处理的ITO导电玻璃的四周边缘遮挡住，覆盖宽度为2mm；

B2、采用真空蒸镀技术，在石英导电基底上制备20-25μm厚高纯Al膜；

B3、对蒸镀好的高纯Al膜进行表面清洗，除去油脂；利用高氯酸和无水乙醇混合液作为电解液进行电解抛光，获得光亮洁净的Al膜；

B4、以所得Al膜为阳极，铂片为阴极，5％磷酸为电解液，水浴中对Al膜进行一次高压阳极氧化；

B5、采用磷酸和铬酸混合液除去有序性较差的一次氧化层，并在相同条件下对Al膜进行二次氧化，制得10-15μm厚石英导电玻璃基阳极氧化铝AAO模板。

7.根据权利要求5所述的一种纳米线异质结阵列基紫外光探测器的制备方法，其特征在于：所述的NiO-TiO₂纳米线异质结阵列(3)的制备方法包括以下步骤：

C1、在基于玻璃基底(1)的导电薄膜(2)上首先制备一系列垂直于导电薄膜(2)所在平面的TiO₂纳米线(311)，使所制得的TiO₂纳米线(311)平行排列构成TiO₂纳米线阵列(31)；

C2、在TiO₂纳米线阵列(31)中的每根TiO₂纳米线(311)上分别制备一根NiO纳米线(321)，使NiO纳米线(321)的生长方向与TiO₂纳米线(311)一致，所制得的NiO纳米线(321)平行排列即构成NiO纳米线阵列(32)。