[发明专利]耐候型微触发可控硅及其制造方法无效
| 申请号： | 201010147488.2 | 申请日： | 2010-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN101814496A | 公开（公告）日： | 2010-08-25 |
| 发明（设计）人： | 李文广;周远铸 | 申请（专利权）人： | 厦门泰格微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L29/74;H01L21/77;H01L21/332 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 耐候型微 触发 可控硅 及其 制造 方法 | ||
1.一种耐候型微触发可控硅，为PNP结构，所述PNP结构的一侧P型硅上设有N+发射区和门极电极，在所述N+发射区上设置有阴极电极，所述PNP结构的另一侧P型硅上设置有阳极电极，其特征在于：所述PNP结构内部设有横向集成电阻，所述横向集成电阻是负温度系数型热敏电阻，并且连接于所述门极电极和阴极电极之间。
2.根据权利要求1所述的耐候型微触发可控硅，其特征在于：所述横向集成电阻位于所述N+发射区下面邻近所述门极电极区侧的P型硅上。
3.根据权利要求2所述的耐候型微触发可控硅，其特征在于：所述横向集成电阻的阻值变化范围为5千欧姆到15千欧姆之间。
4.根据权利要求1至3任一项所述的耐候型微触发可控硅，其特征在于：所述耐候型微触发可控硅还包括包围所述N+发射区、邻近N+发射区的P型硅以及门极电极的阻断电压保护槽。
5.一种耐候型微触发可控硅的制造方法，其包括以下步骤：
在PNP结构的一侧P型硅上形成N+发射区和门极电极；
在所述N+发射区上形成阴极电极；以及
在所述PNP结构的另一侧P型硅上形成阳极电极，并且在所述PNP结构内部形成连接于所述门极电极和阴极电极之间的横向集成电阻，所述横向集成电阻是负温度系数型热敏电阻。
6.根据权利要求5所述的耐候型微触发可控硅的制造方法，其特征在于，所述在PNP结构内部形成连接于所述门极电极和阴极电极之间的横向集成电阻的步骤为：采用扩散集成的办法，在PNP结构内部形成连接于所述门极电极和阴极电极之间的次薄层横向集成电阻。
7.根据权利要求6所述的耐候型微触发可控硅的制造方法，其特征在于，所述在PNP结构的一侧P型硅上形成N+发射区的步骤包括：在N型硅单晶基片上通过硼扩散形成所述PNP结构，并在一侧P型硅上通过选择性磷扩散形成所述N+发射区。
8.根据权利要求7所述的耐候型微触发可控硅的制造方法，其特征在于，进一步包括：在形成所述横向集成电阻之后，形成包围所述N+发射区、邻近N+发射区的P型硅以及门极电极的阻断电压保护槽。
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H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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