[发明专利]一种数据自动读出生效的EEPROM电路及其实现方法

说明书

技术领域

本发明属于微电子领域数据读出结构和读出方法技术领域，特别是一种芯片加电后数据 自动读出生效的EEPROM电路设计。

背景技术

微电子领域内的大量电路需要在启动时读出内部预先存储的数据，作为初始偏置或者其 他用处。EEPROM是最为主流的非易失性存储技术，用来存储此类数据。EEPROM工作有双 电压特性。读取数据只需要标准工作电压操作，而修改存储内容则需要高电压(一般为 12-20V)操作。EEPROM读取的时候会导通，产生电流，不适宜作为长时间数据来源，故 EEPROM阵列存储的数据被读出后放入D锁存器阵列中存储，锁存后将EEPROM关闭或者 置为低功耗状态。一般地，需要一个专门的外接读出控制单元来控制EEPROM存储单元中数 据的读取，电路结构比较复杂，而且功耗较高。

发明内容

本发明提出了一种新型EEPROM电路结构，目的在于通过上电自启动将EEPROM中的 数据送至端口并保持输出，同时能将EEPROM关闭置于低功耗状态，简化外部电路结构。

本发明的技术方案如下：

一种EEPROM电路数据自动读出生效的方法，包括：

1)EEPROM电路芯片加电时，通过一读出逻辑的自产生电路，产生一读出逻辑信号；

2)该读出逻辑信号输入到EEPROM阵列中的每个EEPROM单元的Bitcell控制逻辑作为 控制信号，从而将EEPROM阵列存储的数据读出，同时该读出逻辑信号作为每个EEPROM 单元的锁存器或触发器的时钟信号，将从EEPROM读出的数据放入锁存器或触发器阵列中存 储，并将EEPROM单元关闭置于低功耗状态。

所述读出逻辑的自产生电路包括串联的一电容和一电阻，电容和电阻的另一端分别接电 源的高电平和低电平，或电源的低电平和高电平，在串联的节点处接入一个或多个放大器、 缓冲器或反相器。

一种EEPROM电路结构，其特征在于：该电路包括一读出逻辑的自产生电路和若干个 EEPROM单元，所述读出逻辑的自产生电路包括串联的一电容和一电阻，电容和电阻的另一 端分别接电源的高电平和低电平，或电源的低电平和高电平，在串联的节点处接入一个或多 个放大器、缓冲器或反相器，所述EEPROM单元包括一Bitcell、一Bitcell控制逻辑和一锁存 器或触发器，上述读出逻辑的自产生电路的放大器输出端连接Bitcell控制逻辑。

上述Bitcell为双栅结构的MOS晶体管。

上述锁存器为D锁存器，所述触发器为D触发器、RS触发器、JK触发器或T触发器。

上述锁存器或触发器的前端可有延时结构，该结构可由电阻和电容串联接地组成。

本发明优点和积极效果：

EEPROM电路在芯片加电时可以自动产生读出各位数据所需的时序，读出各位的数据并 生效，数据生效后会自动停止EEPROM电路并进入低功耗状态。该功能的好处是：每次加电 时EEPROM所存储的数据不再需要用户设计专门的读出控制电路和时序过程来实现各数据 位的读出和生效，从而降低了PCB板上电路设计的复杂度，简化了用户界面，方便芯片使用， 并能降低功耗。

附图说明

图1为整个上电自读出EEPROM电路的框图；

图2为读出逻辑的自产生电路的电路图；

图3为EEPROM单元的电路图；

图4为Bitcell的结构图；

图5为自动读出生效的时序图(读出逻辑的自产生电路的电容接电源高电平，电阻接电 源的低电平)。

具体实施例

下面结合一个MEMS微加速度计读出电路具体的实施例来进一步说明本发明，但本发明 的用途并不仅限于下面的具体实施例子。