[发明专利]硅基麦克风制造方法无效
申请号: | 201010148316.7 | 申请日: | 2010-04-12 |
公开(公告)号: | CN102036159A | 公开(公告)日: | 2011-04-27 |
发明(设计)人: | 杨斌;颜毅林 | 申请(专利权)人: | 瑞声声学科技(深圳)有限公司;瑞声微电子科技(常州)有限公司 |
主分类号: | H04R31/00 | 分类号: | H04R31/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518057 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 麦克风 制造 方法 | ||
1.一种硅基麦克风的制造方法,其特征在于:该方法的步骤包括如下:
A、提供一硅基底;
B、在硅基底上沉积振膜层;
C、在振膜层上沉积牺牲层,并通过光刻除去其边缘部;
D、在振膜和牺牲层上沉积背板,通过光刻使背板的顶部形成若干声孔;
E、在牺牲层上,与声孔相对的位置处刻蚀,使其形成贯通牺牲层至振膜的凹槽;
F、在凹槽内沉积支撑柱,使支撑柱连接振膜与背板;
G、对硅基底进行蚀刻,以形成空腔;
H、释放牺牲层;
I、释放支撑柱。
2.根据权利要求1所述的硅基麦克风的制造方法,其特征在于:所述支撑柱是由光刻胶或聚甲基丙烯酸甲酯或聚酰亚胺耐腐蚀有机材料制成的。
3.根据权利要求1所述的硅基麦克风的制造方法,其特征在于:所述支撑柱的数量为两个。
4.根据权利要求1所述的硅基麦克风的制造方法,其特征在于:所述振膜层的周边刻蚀有贯穿振膜的泄漏孔。
5.根据权利要求1所述的硅基麦克风的制造方法,其特征在于:所述振膜层是沉积多晶硅并在其上掺杂磷化物而形成的。
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