[发明专利]一种新型高效三结硅薄膜太阳电池无效
| 申请号： | 201010148323.7 | 申请日： | 2010-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN102222708A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 孙福河;罗培青;章昌台;高石崇;郑加镇;訾威 | 申请（专利权）人： | 江苏百世德太阳能高科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/028 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215104 江苏省苏州市吴中区吴中大*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 高效 三结硅 薄膜 太阳电池 | ||
1.一种新型高效三结硅薄膜太阳电池，其特征在于：包括非晶硅顶电池、微晶硅中间电池、微晶硅锗底电池三结电池结构，且所述电池的结构均为P/I/N型；所述非晶硅顶电池的上部设置有透明导电玻璃衬底；所述微晶硅锗底电池的下部依次设置有透明导电薄膜和金属层；所述透明导电玻璃衬底为SnO2或ZnO；所述透明导电薄膜为ZnO；所述金属层为Al或Ag。
2.根据权利要求1所述的新型高效三结硅薄膜太阳电池，其特征在于：所述非晶硅顶电池，采用P/I/N结构，P型硅基薄膜采用硼掺杂的非晶硅或非晶硅碳，I型硅基薄膜采用非晶硅，N型硅基薄膜采用磷掺杂的微晶硅或纳米硅。
3.根据权利要求2所述的新型高效三结硅薄膜太阳电池，其特征在于：所述非晶硅顶电池，还包括在P/I界面间引入缓冲层B，该缓冲层B厚度为0-50nm。
4.根据权利要求1所述的新型高效三结硅薄膜太阳电池，其特征在于：所述微晶硅中间层电池，采用P/I/N结构，P型硅基薄膜采用硼掺杂的微晶硅或纳米硅，I型硅基薄膜采用微晶硅，通过改变薄膜的晶态比值Xc制成，所述I型硅基薄膜晶化率Xc值为50％-70％，N型硅基薄膜采用磷掺杂的微晶硅或纳米硅。
5.根据权利要求1所述的新型高效三结硅薄膜太阳电池，其特征在于：所述微晶硅锗底电池，采用P/I/N结构，P型硅基薄膜采用硼掺杂的微晶硅或微晶硅锗，I型硅基薄膜采用微晶硅锗，通过改变薄膜的晶态比值Xc制成，所述I型硅基薄膜晶化率Xc值为50％-70％，，N型硅基薄膜采用磷掺杂的非晶硅、微晶硅或纳米硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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