[发明专利]通过施加P-衬底偏压和调节阈值电压提高磁性隧道结的编程电流

权利要求书

1.一种操作磁阻性随机存取存储器(MRAM)单元的方法，所述方法包括：

设置所述MRAM单元，所述MRAM单元包括：

磁性隧道结(MTJ)器件；以及

字线选择器，包括串联至所述MTJ器件的源-漏路径；以及

将负衬底偏压连接至所述字线选择器的主体。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述负衬底偏压低于约0.5V。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述MRAM单元的写入操作期间，所述负衬底偏压连接至所述字线选择器的主体。

4.一种操作磁阻性随机存取存储器(MRAM)单元的方法，所述方法包括：

设置所述MRAM单元，所述MRAM单元包括：

磁性隧道结(MTJ)器件；以及

字线选择器，包括串联至所述MTJ器件的源-漏路径；

将负衬底偏压连接至所述字线选择器的主体；

接通所述字线选择器；以及

在施加所述负衬底偏压期间，施加流过所述字线选择器的所述源-漏路径的写入电流。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述负衬底偏压低于约0.5V，并且所述方法进一步包括：在所述MRAM单元的读取操作期间，将非负电压连接至所述字线选择器的主体，其中，所述非负电压为电接地电压。

6.根据权利要求4所述的方法，其中，所述字线选择器的主体包括P-阱，其中，深N-阱将所述P-阱与p型衬底分离，并且其中，所述方法进一步包括使所述p型衬底接地；或者

所述字线选择器具有低于约0.2V的阈值电压。

7.一种集成电路，包括：

磁阻性随机存取存储器(MRAM)单元，包括：

磁性隧道结(MTJ)器件；以及

字线选择器，包括串联至所述MTJ器件的源-漏路径；以及

电源，连接至所述字线选择器的主体并且用于提供负衬底偏压给所述字线选择器的主体。

8.根据权利要求7所述的集成电路，其中，所述负衬底偏压低于约0.1V；或者

所述字线选择器的主体为p型衬底的一部分；或者

所述字线选择器具有低于约0.2V的阈值电压。

9.根据权利要求7所述的集成电路，进一步包括：

p型衬底；

在所述p型衬底上方的深N-阱；

在所述深N-阱上方的P-阱，其中，所述P-阱通过所述深N-阱与所述p型衬底电绝缘，并且其中，所述字线选择器的主体为所述P-阱的一部分；以及

与所述字线选择器在同一芯片上的NMOS器件，其中，在所述NMOS器件和所述p型衬底之间没有阱区。

10.根据权利要求9所述的集成电路，其中，所述p型衬底接地；或者

所述字线选择器具有低于所述NMOS器件的阈值电压的阈值电压。

11.一种集成电路，包括：

磁阻性随机存取存储器(MRAM)单元，包括：

磁性隧道结(MTJ)器件；以及

字线选择器，包括串联至所述MTJ器件的源-漏路径，其中，所述字线选择器具有低于约0.2V的阈值电压。

12.根据权利要求11所述的集成电路，进一步包括连接至所述字线选择器的主体并且用于将负衬底偏压提供给所述字线选择器的主体，

其中，所述负衬底偏压低于约-0.5V。