[发明专利]RF功率放大电路和使用该电路的RF功率模块

权利要求书

1.一种RF功率放大电路，其特征在于，

具备前级放大器、后级放大器、和控制部，

所述前级放大器的输入端子能响应于RF发送输入信号，所述后 级放大器的输入端子能响应于在所述前级放大器的输出端子上生成 的放大信号，

所述控制部响应于供给到控制输入端子的功率控制电压，对所 述前级放大器的无功电流和所述后级放大器的无功电流进行控制， 由此能控制所述前级放大器的增益和所述后级放大器的增益，

响应于所述功率控制电压，所述前级放大器的所述无功电流和 所述增益按照第一连续函数连续变化，所述后级放大器的所述无功 电流和所述增益按照第二连续函数连续变化，

所述第二连续函数为比所述第一连续函数高一次方以上的函 数。

2.如权利要求1所述的RF功率放大电路，其特征在于，

所述后级放大器的放大晶体管的器件尺寸设定为比所述前级放 大器的放大晶体管的器件尺寸大，

响应于规定电平的所述功率控制电压，所述后级放大器的所述 无功电流的电流密度设定为比所述前级放大器的所述无功电流的电 流密度低。

3.如权利要求2所述的RF功率放大电路，其特征在于，

响应于所述功率控制电压，所述前级放大器的所述无功电流和 所述增益按照作为第一连续函数的线性特性连续变化，

响应于所述功率控制电压，所述后级放大器的所述无功电流和 所述增益按照作为第二连续函数的平方特性或三次方特性连续变 化。

4.如权利要求3所述的RF功率放大电路，其特征在于，

所述控制部响应于所述功率控制电压，生成按照所述线性特性 连续变化的第一偏置电流、和按照所述平方特性或三次方特性连续 变化的第二偏置电流，

所述RF功率放大电路还具备第一偏压用晶体管和第二偏压用 晶体管，

所述第一偏压用晶体管与所述前级放大器的所述放大晶体管连 接成电流镜，所述第二偏压用晶体管与所述后级放大器的所述放大 晶体管连接成电流镜，

由所述控制部生成的所述第一偏置电流和所述第二偏置电流分 别供给到所述第一偏压用晶体管和所述第二偏压用晶体管。

5.如权利要求4所述的RF功率放大电路，其特征在于，

所述控制部由包含CMOS晶体管的单片集成电路构成。

6.如权利要求5所述的RF功率放大电路，其特征在于，

所述前级放大器的所述放大晶体管、所述后级放大器的所述放 大晶体管、所述第一偏压用晶体管、和所述第二偏压用晶体管由MOS 晶体管构成。

7.如权利要求5所述的RF功率放大电路，其特征在于，

所述前级放大器的所述放大晶体管、所述后级放大器的所述放 大晶体管、所述第一偏压用晶体管、和所述第二偏压用晶体管由双 极晶体管构成。

8.如权利要求6所述的RF功率放大电路，其特征在于，

所述MOS晶体管为LDMOS晶体管。

9.如权利要求7所述的RF功率放大电路，其特征在于，

所述双极晶体管为异质结双极晶体管。