[发明专利]一种以氧化物半导体为沟道层的混合结构薄膜晶体管

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括基板，分别形成于基板上方的栅、源和漏电极，用于隔离栅电极与源/漏电极的栅介质层，以及用于连接源电极和漏电极的氧化物半导体沟道层；其特征在于

所述栅介质层为有机介质层；

所述氧化物半导体沟道层为非晶或多晶宽禁带氧化物半导体层；

所述栅电极、源电极和漏电极由透明导电氧化物构成。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于所述半导体沟道层选自于In-Zn-O、In-Ga-Zn-O、In-Zn-Sn-O、Sn-Ga-Zn-O、Zn-Sn-O、In-Al-Sn-Zn-O、ZnO、以及Ti-O中任一种氧化物。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于所述栅介质层为选自于聚四乙烯苯酚(PVP)、聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、光致抗蚀剂如聚甲基异丙烯基酮、酸催化酚醛树脂、聚烯砜、环氧抗蚀剂以及有机硅聚合物薄膜等所组成的组中的任一种。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于所述栅电极、源电极和漏电极为选自于掺锡氧化铟(ITO)、掺铝氧化锌(AZO)、掺镓氧化锌(ZnO:Ga)、掺氟氧化锡(FTO)、掺锑氧化锡(SnO:Sb)、掺钨氧化铟(IWO)、掺钼氧化铟(IMO)等所组成的组中的任一种透明导电氧化。