[发明专利]形成接合的方法

权利要求书

1.一种用于形成接合的方法，包括步骤： 

提供主体，该主体包括设有无机介电保护层的金属表面，该无机介电保护层覆盖金属表面的至少一个表面区，金属表面要在该表面区中被导电接合到接触导体； 

提供接触导体； 

通过产生压力F并在表面区之上将接触导体的一部分压向保护层和主体，来破坏表面区之上的保护层； 

在金属表面和接触导体之间形成导电接合， 

其中在给金属表面提供无机介电保护层之前，通过机械和/或化学处理去掉杂质， 

其中由于所述压力F接触导体穿透保护层， 

其中破坏保护层是通过超声接合头基本上垂直于压力方向的振动实现的。 

2.如权利要求1所述的方法，其中该金属表面至少在表面区的区域中基本上没有金属氧化物。 

3.如权利要求1所述的方法，其中该金属表面至少在表面区的区域中基本上没有氧化铜。 

4.如权利要求1所述的方法，其中金属表面包括至少10％重量百分比的铜。 

5.如权利要求1所述的方法，其中该接触导体包括至少10％重量百分比的铜。 

6.如权利要求1所述的方法，其中该接触导体被配置为金属带，且 

特征在于宽度B超过或等于1000μm；和/或 

特征在于厚度范围是50μm至2000μm。 

7.如权利要求1所述的方法，其中该接触导体被配置为接合导线，且特征在于接合之前，直径至少为300μm。 

8.如权利要求1所述的方法，其中该接触导体包括的导体横截面面积至少为17671μm²。 

9.如权利要求1所述的方法，其中该接触导体包括的导体横截面面积小 于或等于7854μm²。 

10.如权利要求1所述的方法，其中破坏保护层除压力之外还通过粉碎实现。 

11.如权利要求1所述的方法，其中该表面区包括的长度范围是200μm至4000μm和/或宽度范围是100μm至4000μm。 

12.如权利要求1所述的方法，其中该表面区包括至少为20000μm²的表面面积。 

13.如权利要求1所述的方法，其中该主体是半导体，其包括集成电路或集成电路的部件并且其上是有源区，该表面区全部在该有源区上延伸。 

14.如权利要求13所述的方法，其中在金属表面和半导体之间没有设置完全或主要由铝形成的层。 

15.如权利要求13所述的方法，其中在导电接合形成之前和/或之后，在接触导体和半导体之间没有设置铝层。 

16.如权利要求13所述的方法，其中在金属表面和半导体之间设置阻挡层，该阻挡层由物质钽、钛、钨以及它们的氮化物中的正好一种形成，或由这些物质中的至少一种的合金形成。 

17.如权利要求1所述的方法，其中该主体包括陶瓷垫，在该陶瓷垫至少一侧上设有金属层，金属层背对陶瓷垫的表面形成主体的金属表面。 

18.如权利要求17所述的方法，其中该陶瓷垫由氧化铝或氮化铝或氮化硅形成。 

19.如权利要求1所述的方法，其中该保护层具有的厚度范围是40nm至400nm。 

20.如权利要求1所述的方法，其中提供包括保护层的主体包括以下步骤： 

提供主体，其包括金属表面； 

在金属表面上定义表面区，金属表面要在表面区中被导电接合到接触导体；以及 

为金属表面施加保护层，该保护层至少完全覆盖表面区。 

21.如权利要求1所述的方法，其中该保护层防止至少在表面区的区域中的金属表面的化学变化。 

22.如权利要求1所述的方法，其中在形成导电接合之前，在保护层背对 表面区的那侧没有设置导电层。