[发明专利]接面场效应晶体管元件有效
| 申请号： | 201010149527.2 | 申请日： | 2010-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN102201454A | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | 胡智闵;洪崇祐;陈永初;龚正 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/808 | 分类号： | H01L29/808;H01L29/06;H01L27/098 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 梁爱荣 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 元件 | ||
1.一种接面场效应晶体管元件，其特征在于，该接面场效应晶体管元件包括：
一第一型掺杂物的一基板；
一第二型掺杂物的一第一井区，该第一井区位于该基板中；
该第一型掺杂物的一第二井区和一第三井区，该第二井区和该第三井区于该第一井区中彼此分离；
该第一型掺杂物的一第四井区，该第四井区位于该第二井区和该第三井区之间；
该第二型掺杂物的一第一扩散区，该第一扩散区位于该第二井区及该第四井区之间；以及
该第二型掺杂物的一第二扩散区，该第二扩散区位于该第三井区及该第四井区之间。
2.如权利要求1所述的接面场效应晶体管元件，其特征在于，还包括位于该第一井区中的该第二型掺杂物的一对第一掺杂区，及位于该对第二井区中的该第一型掺杂物的该第二掺杂区和该第三井区之间。
3.如权利要求2所述的接面场效应晶体管元件，其特征在于，还包括位于该第一井区中的该第二型掺杂物的一第三掺杂区，且该第三掺杂区位于该第二井区和该第三井区之间并在该第四井区之上。
4.如权利要求3所述的接面场效应晶体管元件，其特征在于，还包括一图案化导电层，其中该导电层包括位于该对第一掺杂区上的一对漏极端、位于该对第二掺杂区上的一对栅极端，以及位于该第三掺杂区上的一源极端。
5.如权利要求4所述的接面场效应晶体管元件，其特征在于，该源极端耦接于一接地电压，该对栅极端用以耦接至一负电压，该对漏极端用以耦接至一正电压，使得多个空乏区穿过该第二井区、该第三井区、该第四井区及该第一井区的接面而形成。
6.如权利要求1所述的接面场效应晶体管元件，其特征在于，接面场效应晶体管元件的夹止电压为该第四井区的宽度的函数。
7.如权利要求1所述的接面场效应晶体管元件，其特征在于，接面场效应晶体管元件的夹止电压为该第二井区及该第四井区间的距离的函数。
8.如权利要求1所述的接面场效应晶体管元件，其特征在于，接面场效应晶体管元件的夹止电压为该第三井区及该第四井区间的距离的函数。
9.一接面场效应晶体管元件，其特征在于，该接面场效应晶体管元件包括：
一基板；
一图案化导电层，包括位于该基板上的一源极端；
一第一井区，位于该基板中；
一第二井区和一第三井区，于该基板的该第一井区中彼此分离；以及
一第四井区，位于该源极端之下并介于该基板的该第一井区中的该第二井区和该第三井区之间。
10.一接面场效应晶体管元件，其特征在于，该接面场效应晶体管元件包括：
一第一型掺杂物的一基板；
一第二型掺杂物的一第一井区，该第一井区位于该基板中；
该第一型掺杂物的一第二井区和一第三井区，彼此分离于该第一井区中；
一图案化导电层，包括位于该基板上的一源极端；以及
该第一型掺杂物的多个井区，该些井区位于该源极端之下并介于该第二井区和该第三井区之间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司，未经旺宏电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010149527.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：包括RAID组的存储系统
- 下一篇：一种多孔硅/碳复合材料及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
