[发明专利]半导体薄膜太阳能电池的制造系统和方法有效
申请号: | 201010149892.3 | 申请日: | 2010-04-19 |
公开(公告)号: | CN102024870A | 公开(公告)日: | 2011-04-20 |
发明(设计)人: | 林朝晖;李晓常 | 申请(专利权)人: | 福建欧德生光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 362000 福建省泉州*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 薄膜 太阳能电池 制造 系统 方法 | ||
1.一种半导体薄膜太阳能电池的制造系统,其特征在于包括:
具有复数个固定温区的通道式多温区加热装置;
由复数个可调节气氛的热化学反应容器组成的生产线;以及
旋转机构和控制部件,所述控制部件控制所述旋转机构驱动所述生产线上的热化学反应容器顺序通过所述通道式多温区加热装置的复数个固定温区。
2.如权利要求1所述的系统,其特征在于:所述生产线固定不动,所述控制部件控制所述旋转机构驱动所述通道式多温区加热装置沿着生产线移动。
3.如权利要求1所述的系统,其特征在于:所述通道式多温区加热装置固定不动,所述控制部件控制所述旋转机构驱动生产线移动。
4.如权利要求2或3所述的系统,其特征在于:所述生产线为圆形,所述通道式多温区加热装置为圆弧形。
5.如权利要求2或3所述的系统,其特征在于:所述生产线为类似田径场形状的直线与圆形相结合的形式,或任何圆弧与直线首位相连的形式。
6.如权利要求5所述的系统,其特征在于:所述通道式多温区加热装置为直线型或圆弧形。
7.如权利要求1所述的系统,其特征在于:所述气氛包括硒化氢、硫化氢、有机硒化物、有机硫化物、高温硒蒸气、高温硫蒸气,以及惰性气体中的两种或多种的混合气体。
8.一种半导体薄膜太阳能电池的制造方法,其特征在于包括:
在导电电极上通过物理镀膜法制备化合物半导体前驱体;
把载有所述化合物半导体前驱体的基片置于一气氛可调的反应容器;
由复数个所述反应容器组成的生产线依次经过具有复数个固定温区的通道式多温区加热装置;
随着所述生产线与所述通道式多温区加热装置的相对移动,所述反应容器内的基片经历升降温过程而完成制造半导体薄膜太阳能电池所需的热化学反应。
9.如权利要求8所述的方法,其特征在于:所述生产线固定不动,利用控制部件控制旋转机构驱动所述通道式多温区加热装置沿着所述生产线移动。
10.如权利要求8所述的方法,其特征在于:所述通道式多温区加热装置固定不动,控制部件控制旋转机构驱动所述生产线移动。
11.如权利要求9或10所述的方法,其特征在于:所述生产线为圆形,所述通道式多温区加热装置为圆弧形。
12.如权利要求9或10所述的方法,其特征在于:所述生产线为类似田径场形状的直线与圆相结合的形式,或任何圆弧与直线首位相连的形式,所述通道式多温区加热装置为直线型或圆弧形。
13.如权利要求8所述的方法,其特征在于:所述复数个固定温区包括升温区、合金化区、硒化区、硫化区和退火区。
14.如权利要求8所述的方法,其特征在于:所述反应容器为耐温耐腐蚀的石英玻璃或金属盒体。
15.如权利要求8所述的方法,其特征在于:所述物理镀膜法包括真空热镀膜法、磁控溅射法、电化学镀膜法或湿法涂覆法。
16.如权利要求8所述的方法,其特征在于:所述湿法涂覆法包括旋涂、喷涂、丝印、滴涂、浸涂等印刷方法。
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